类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：600V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　漏极电流（ID）@25°C：21A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.25Ω @ VGS=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220
　　功率耗散（PD）：125W

FMA21N60Q具有多项优良的电气和热性能特性。首先，其最大漏源电压为600V，能够承受较高的电压应力，适用于高压电源系统。其次，该器件的漏极连续电流能力达到21A，适合处理较大电流负载。
　　导通电阻（RDS(on)）是衡量MOSFET导通损耗的重要参数，FMA21N60Q的典型RDS(on)为0.25Ω，在VGS=10V时具有较低的导通损耗，有助于提高系统效率。此外，该MOSFET具备快速开关特性，可减少开关过程中的能量损耗，提升整体能效。
　　在热性能方面，FMA21N60Q采用TO-220封装，具有良好的散热能力，能够在高功率工作条件下保持稳定。器件的栅极驱动电压范围为±30V，但通常在+10V至+15V之间工作，确保可靠导通并减少栅极驱动损耗。
　　该MOSFET还具备较高的耐用性和稳定性，能够承受较高的雪崩能量，适用于需要高可靠性的工业和汽车电子应用。同时，其设计支持并联使用，以进一步提升系统的电流处理能力。

FMA21N60Q广泛应用于多种功率电子系统中，尤其是在需要高电压和大电流处理能力的场合。常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、不间断电源（UPS）系统以及工业自动化设备中的功率控制模块。
　　在电源管理领域，该器件可作为主开关用于AC-DC转换器，提供高效的能量转换。在电机控制中，FMA21N60Q可用于H桥电路，实现电机的正反转和速度调节。此外，该MOSFET还可用于电池管理系统（BMS）中的负载开关，实现电池充放电控制。
　　由于其良好的热稳定性和过载能力，FMA21N60Q也常用于汽车电子系统，如电动助力转向（EPS）、车载充电器（OBC）以及LED照明驱动电路。在可再生能源领域，该器件可用于太阳能逆变器和风力发电系统的功率转换模块。

FQA24N60C、IRFGB40N60HD、STF22N60DM2、FGA25N60SMD