时间：2025/8/9 8:15:26
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FMA13N57E 是一款由 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）设计的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件具有高效率、低导通电阻和高功率密度的特点，广泛用于各种功率转换和开关应用中。FMA13N57E 采用 TO-220AB 封装形式，适用于需要高效能和高可靠性的工业和消费类电子产品。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：500V
最大漏极电流(Id)：13A
导通电阻(Rds(on))：0.38Ω（最大值）
最大功率耗散(Pd)：40W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
栅极阈值电压(Vgs(th))：2V 至 4V
封装形式：TO-220AB
FMA13N57E 具备出色的导通和开关性能，其低导通电阻（Rds(on)）有助于减少功率损耗，提高系统效率。
该 MOSFET 的高耐压能力使其适用于高压应用，同时其热性能优异，能够在较高温度下稳定工作。此外，FMA13N57E 的封装设计提供了良好的散热性能，确保在高功率操作下的可靠性。
该器件还具备良好的抗雪崩能力，能够在极端条件下提供保护，防止器件损坏。其快速开关特性减少了开关损耗，适用于高频开关电源应用。
由于其优异的性能和可靠性，FMA13N57E 是许多电源管理应用中的首选器件，特别是在需要高效能和高可靠性的工业环境中。
FMA13N57E 主要应用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机控制、逆变器、UPS 系统以及工业自动化设备等功率电子领域。
在开关电源中，该器件可用于主开关或同步整流器，以提高效率和功率密度。
在电机控制应用中，FMA13N57E 可用于驱动直流电机或步进电机，提供高效的功率控制。
此外，该器件还可用于光伏逆变器、LED 照明驱动器以及电池管理系统等应用，满足多种功率转换需求。
FQA13N50C, IRFBC40, STF12N50M5
