FMA08N60GX 时间：2025/8/9 16:59:23 阅读：10

FMA08N60GX 是一款由Fairchild（飞兆半导体，现为ON Semiconductor的一部分）制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率、高频率开关应用，广泛应用于电源转换系统如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、马达控制和负载开关等。FMA08N60GX采用先进的平面条形FET工艺，具备低导通电阻、高击穿电压以及良好的热稳定性和可靠性。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：600V
　　最大栅源电压（VGS）：±30V
　　最大漏极电流（ID）：8A（在TC=25℃时）
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.75Ω
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：TO-220
　　功率耗散（PD）：50W
　　输入电容（Ciss）：约1200pF
　　开启阈值电压（VGS(th)）：2V~4V
　　反向恢复时间（trr）：约150ns

特性

FMA08N60GX具备多个显著的电气和热特性，使其适用于高要求的功率电子系统。首先，其600V的漏源击穿电压允许其在高压环境中稳定运行，适用于多种工业和消费类电源应用。其次，低导通电阻（RDS(on)）减少了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统效率。此外，该MOSFET具有较高的电流承受能力，在8A额定电流下能够满足多数中功率应用的需求。
　　在开关特性方面，FMA08N60GX具有较低的输入电容（Ciss）和反向恢复时间（trr），有助于在高频开关应用中降低开关损耗并提高响应速度。这使其在开关电源（SMPS）、DC-DC转换器以及马达驱动电路中表现出色。此外，其TO-220封装形式提供了良好的散热性能，有助于在高负载条件下维持稳定的温度表现。
　　该器件还具备良好的栅极驱动兼容性，开启阈值电压范围为2V至4V，使其适用于多种栅极驱动电路设计。同时，±30V的栅源电压耐受能力增强了其在复杂电磁环境下的可靠性。FMA08N60GX的工作温度范围为-55℃至+150℃，确保其在极端温度条件下的稳定运行，适用于工业级和汽车电子等高可靠性要求的场景。

应用

FMA08N60GX MOSFET主要应用于中高压功率转换系统中，例如开关电源（SMPS）、AC-DC适配器、DC-DC转换器、电池充电器、LED照明驱动器以及工业自动化控制设备。其高电压耐受能力和较低的导通电阻使其在电源管理系统中能够实现高效的能量转换。此外，由于其具备快速开关特性和良好的热稳定性，该器件也常用于马达控制、电磁继电器替代方案和高边/低边开关应用。
　　在消费类电子产品中，FMA08N60GX可用于电源管理模块，如笔记本电脑适配器、智能家电和UPS不间断电源系统。在工业领域，该MOSFET可作为高频逆变器、太阳能逆变器和工业电源模块的关键元件。在汽车电子中，该器件也可用于车载充电器、电动工具和车身控制系统中的功率开关元件。