时间：2025/8/9 8:52:03
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FMA07N50E是一款由富士电机（Fuji Electric）生产的N沟道功率MOSFET，广泛用于高电压和高功率的电子电路中。该器件具有高耐压、低导通电阻以及良好的热稳定性，适用于电源转换、电机控制和负载开关等应用领域。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：7A
最大漏源电压：500V
最大栅源电压：±30V
导通电阻（Rds(on)）：1.2Ω
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220
FMA07N50E具有多项卓越的电气和热性能特性，首先，其最大漏极电流为7A，能够支持较高的功率需求，适用于多种高电流应用场景。其次，该MOSFET的最大漏源电压达到500V，使其能够承受较高的电压应力，适用于高压电路设计。
此外，FMA07N50E的导通电阻为1.2Ω，这一数值相对较低，有助于减少导通损耗并提高整体系统的能效。在功率MOSFET的工作过程中，低导通电阻可以显著降低热量的产生，从而提高系统的稳定性和可靠性。同时，该器件的最大栅源电压为±30V，提供了一定的安全裕度，防止因过高的栅极电压而导致的器件损坏。
从热管理的角度来看，FMA07N50E采用了TO-220封装形式，这种封装具有良好的散热性能，能够在高负载条件下有效地将热量散发出去。同时，该器件的工作温度范围为-55°C至150°C，表现出良好的耐高温能力，适合在严苛的环境条件下工作。
最后，FMA07N50E的高可靠性和稳定性使其成为许多工业和电力电子应用中的首选器件，尤其适用于需要长期稳定运行的系统。
FMA07N50E广泛应用于多种高电压和高功率电子设备中，常见于电源管理系统、DC-DC转换器、AC-DC电源适配器以及开关电源设计。此外，该MOSFET还可用于电机驱动器、负载开关、逆变器以及其他需要高耐压和高效能的电路中。由于其良好的热性能和电气特性，FMA07N50E也适用于工业自动化控制系统和电力电子设备，如变频器和不间断电源（UPS）系统。
FQA7N50, IRFBC40, 2SK2545
