时间：2025/8/9 16:19:13
阅读：29
FMA05N50E是一款由Fairchild（飞兆半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关应用。该器件采用先进的平面工艺技术，具有低导通电阻和高耐压能力，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及各种高电压高电流的应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：500V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：5A
导通电阻（RDS(on)）：1.2Ω @ VGS=10V
功耗（PD）：50W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-220
FMA05N50E MOSFET的一个主要特性是其高耐压能力，漏源电压最大可达500V，使其适用于高电压输入的电源和开关应用。该器件的导通电阻较低，约为1.2Ω，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，FMA05N50E支持较高的栅源电压（±20V），使得在各种驱动条件下都能保持稳定工作。
该MOSFET的连续漏极电流为5A，能够在中等功率应用中提供足够的电流容量。其最大功耗为50W，配合TO-220封装形式，具备良好的散热性能。FMA05N50E还具备良好的热稳定性和抗过载能力，能够在苛刻的工作环境下保持可靠运行。
另一个显著的特性是其广泛的工作温度范围，从-55°C到+150°C，使其适用于各种工业和汽车电子应用。此外，该器件的封装形式（TO-220）易于安装和散热管理，适合大批量生产和使用。
FMA05N50E MOSFET广泛应用于多种功率电子系统中。其主要应用之一是电源管理系统，例如AC-DC电源适配器和开关电源（SMPS）。由于其高耐压和低导通电阻的特性，该MOSFET能够在这些应用中实现高效的能量转换。
此外，FMA05N50E也常用于DC-DC转换器，如升压（Boost）和降压（Buck）转换器，用于调节电压并提供稳定的电源输出。在电机控制和驱动器系统中，该MOSFET可用于控制电机的速度和方向，适用于工业自动化和机器人系统。
该器件还适用于各种高电压高电流的开关电路，如LED照明驱动器、电源管理模块和工业设备的电源控制部分。由于其良好的热稳定性和宽温度范围，FMA05N50E也适用于汽车电子系统，如车载充电器和电源逆变器等。
FQA05N50C, FDP05N50, IRF840, FDPF05N50
