时间：2025/5/27 15:01:23
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FM55X474K501EFG 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等高效率电力电子系统中。该芯片采用先进的制程工艺制造，具备低导通电阻和快速开关特性，能够显著降低系统的功耗并提升整体效率。
这款器件特别适合于需要高效能和高可靠性的工业级应用环境，其封装形式为行业标准型，便于设计和安装。
型号：FM55X474K501EFG
类型：N沟道增强型MOSFET
耐压：55V
最大漏极电流：96A
导通电阻（典型值）：2.8mΩ
栅极电荷：78nC
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247-3L
FM55X474K501EFG 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，有助于减少导通损耗并提高系统效率。
2. 快速的开关速度，支持高频操作，适用于现代高效的开关电源和DC-DC转换器。
3. 高额定电流能力，使其能够在大电流应用场景下保持稳定运行。
4. 宽广的工作温度范围，确保在极端环境下的可靠性。
5. 内置ESD保护功能，提升了产品的抗静电能力。
6. 符合RoHS环保标准，满足全球市场对绿色电子产品的需求。
该芯片可广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关。
2. DC-DC转换器，特别是同步整流和降压/升压电路。
3. 电动工具、家用电器及工业设备中的电机驱动。
4. 汽车电子系统中的负载切换和保护。
5. 大功率LED驱动器中的开关元件。
6. 其他需要高效能功率控制的应用场景。
FM55X474K501EFH, IRF540N, FDP55N50
