FM55X474K501EFG 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等高效率电力电子系统中。该芯片采用先进的制程工艺制造,具备低导通电阻和快速开关特性,能够显著降低系统的功耗并提升整体效率。
这款器件特别适合于需要高效能和高可靠性的工业级应用环境,其封装形式为行业标准型,便于设计和安装。
型号:FM55X474K501EFG
类型:N沟道增强型MOSFET
耐压:55V
最大漏极电流:96A
导通电阻(典型值):2.8mΩ
栅极电荷:78nC
工作温度范围:-55℃至+175℃
封装形式:TO-247-3L
FM55X474K501EFG 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻,有助于减少导通损耗并提高系统效率。
2. 快速的开关速度,支持高频操作,适用于现代高效的开关电源和DC-DC转换器。
3. 高额定电流能力,使其能够在大电流应用场景下保持稳定运行。
4. 宽广的工作温度范围,确保在极端环境下的可靠性。
5. 内置ESD保护功能,提升了产品的抗静电能力。
6. 符合RoHS环保标准,满足全球市场对绿色电子产品的需求。
该芯片可广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关。
2. DC-DC转换器,特别是同步整流和降压/升压电路。
3. 电动工具、家用电器及工业设备中的电机驱动。
4. 汽车电子系统中的负载切换和保护。
5. 大功率LED驱动器中的开关元件。
6. 其他需要高效能功率控制的应用场景。
FM55X474K501EFH, IRF540N, FDP55N50