FM55X225K251EGG 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等应用。该芯片采用先进的半导体工艺制造,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著提高系统效率并降低能耗。
这款 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件,其优化设计使其在高频工作条件下表现出色,同时具备良好的热稳定性和可靠性,适合高功率密度的应用场景。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:90A
导通电阻:1.5mΩ
栅极电荷:75nC
开关速度:100ns
封装形式:TO-247
FM55X225K251EGG 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少导通损耗并提高效率。
2. 高速开关性能,适合高频应用,能够有效降低开关损耗。
3. 强大的电流处理能力,支持高达 90A 的连续漏极电流。
4. 内置保护功能,例如过温保护和短路保护,增强了系统的可靠性和安全性。
5. 稳定的电气性能和热性能,适用于各种恶劣的工作环境。
6. 封装坚固耐用,便于散热管理。
该芯片广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)
2. 电机驱动与控制
3. 工业自动化设备
4. 新能源汽车中的逆变器和转换器
5. 高效 DC-DC 转换器
6. 其他需要高功率密度和高效能的电子系统
IRFZ44N, FDP55N06L, STP90NF06