FM4005M T/R 是一款由Fortior Technologies(原富满电子)生产的高性能、低电压、双通道功率MOSFET器件。该MOSFET采用先进的沟槽式技术,具有低导通电阻(Rds(on))、高效率和快速开关特性,适用于多种电源管理与功率控制应用。该器件封装为SOP-8,适合表面贴装工艺,广泛用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统(BMS)以及电机驱动电路中。
类型:功率MOSFET(双通道)
极性:N沟道+N沟道
漏源电压(Vds):30V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):5A(单通道)
导通电阻(Rds(on)):28mΩ @ Vgs=10V
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装形式:SOP-8
FM4005M T/R 是一款专为高效率功率转换应用设计的双N沟道MOSFET。其核心优势在于其极低的导通电阻(Rds(on)),在Vgs=10V时仅为28mΩ,从而显著降低导通损耗,提高整体系统效率。此外,该器件支持高达5A的连续漏极电流,每个通道均可独立工作,适用于需要并联或独立控制的场合。
该MOSFET采用了先进的沟槽式(Trench)工艺,提升了器件的电流密度和热稳定性,确保在高负载条件下的稳定运行。其±20V的栅源电压耐受能力增强了抗电压冲击能力,提高了器件的可靠性。
FM4005M T/R 还具备快速开关特性,栅极电荷(Qg)较低,适用于高频开关应用,如同步整流、DC-DC降压/升压变换器、H桥电机驱动电路等。其SOP-8的封装形式便于PCB布局和散热管理,同时符合RoHS环保标准,适用于现代电子设备的绿色制造要求。
该器件广泛应用于各种电源管理系统,包括但不限于同步整流器、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统(BMS)、H桥电机驱动、LED照明驱动、移动电源(Power Bank)、充电管理电路、智能功率插座及工业自动化控制系统等。其高集成度和低损耗特性使其成为电源管理领域中极具竞争力的选择。
Si2305DS, 2N7002K, BSS138, AO4406A, TPS2R200