时间：2025/6/16 18:35:21
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FM31X473K201EEG 是一款由富士通（Fujitsu）推出的非易失性静态随机存取存储器（NVSRAM）。该芯片结合了高速 SRAM 和非易失性铁电存储技术（FRAM），能够在系统掉电时通过外部电池或超级电容保留数据。这种设计非常适合需要高可靠性和快速写入的工业及嵌入式应用。
FM31X473 系列产品广泛应用于电力监控、医疗设备、工业自动化和数据记录等领域，因其卓越的数据保持能力和抗干扰性能备受青睐。
容量：512K x 8 bits (4Mbit)
工作电压：1.7V 至 5.5V
接口类型：SPI 接口
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装形式：TSSOP-8
数据保存时间：超过10年（无电池供电情况下依赖备用电源）
写入周期：无限制（得益于 FRAM 技术）
FM31X473K201EEG 的主要特性包括以下几点：
1. 非易失性：即使主电源断开，数据也可以通过外部供电源长期保存。
2. 快速写入：相比传统 EEPROM 或闪存，FRAM 技术提供几乎瞬时的写入速度，且无需写前擦除操作。
3. 高耐久性：支持无限次读写循环，避免了因频繁写入导致的传统存储器磨损问题。
4. 低功耗：在待机模式下能耗极低，适合对能效要求较高的应用场景。
5. SPI 接口兼容性：易于集成到现有系统中，简化开发流程。
6. 宽工作电压范围：允许在不同电源环境中灵活使用。
这款芯片适用于多种领域：
1. 工业控制：用于实时数据采集与存储，例如 PLC 状态记录。
2. 医疗设备：如便携式监护仪中的关键数据存储。
3. 计量仪表：智能电表、水表和燃气表中的用电量/用水量等重要信息保存。
4. 数据记录仪：在运输物流领域记录环境条件变化。
5. 通信设备：基站配置参数备份。
6. 消费类电子产品：游戏机存档或其他需要快速响应的场景。
FM31LX473K201EEG, MB85RS4MT-YNE
