FM31X222K201PXG 是富士通(Fujitsu)生产的FRAM(铁电随机存取存储器)芯片。该系列芯片以其非易失性、高速写入和无限次读写次数而著称,广泛应用于需要快速数据存储和高可靠性的场景中。相比传统的EEPROM或闪存,FRAM具备更低的功耗和更快的数据写入速度,同时避免了传统存储器在频繁写入时可能发生的性能退化问题。
该型号采用LGA封装形式,适合表面贴装技术(SMT),并在工业级温度范围内稳定工作。
容量:256Kb
接口类型:I2C
工作电压:1.7V至3.6V
最大时钟频率:400kHz
数据保留时间:10年
工作温度范围:-40℃至+85℃
封装形式:LGA-10
引脚间距:0.65mm
存储单元结构:FeRAM
FM31X222K201PXG 提供非易失性存储功能,无需额外电源即可保存数据。
其高速写入能力允许设备在断电或其他异常情况下迅速保存关键信息。
由于没有写入次数限制,FRAM非常适合用作频繁更新数据的缓冲区或日志记录存储。
此外,低功耗特性使其成为电池供电应用的理想选择。
此芯片具有内置的错误检测与纠正机制,可确保数据完整性和可靠性。
它还支持多种保护模式,以防止意外写入或篡改数据。
该芯片适用于各种工业和消费类电子设备中的数据记录和配置存储任务。
典型应用包括:
1. 工业自动化系统中的事件日志记录。
2. 医疗设备中的患者数据存储。
3. 智能仪表(如水表、电表)中的累计用量记录。
4. 物联网终端节点的状态保存。
5. 嵌入式系统的配置参数存储。
这些应用场景都要求快速响应和高可靠性的数据处理能力,FM31X222K201PXG可以很好地满足这些需求。
FM31X222K201TSG, FM31CL222B, MB85RC256V