时间：2025/6/24 13:04:32
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FM31X104K251EEG 是一款基于铁电随机存取存储器 (FRAM) 技术的非易失性存储芯片。FRAM 结合了 EEPROM 的非易失性和 SRAM 的高速读写特性，能够在断电后保存数据。该型号主要应用于需要频繁数据记录、低功耗和高可靠性的场景，例如工业控制、医疗设备、汽车电子以及消费类电子产品。
该芯片采用 SPI 接口进行通信，支持快速数据传输，并具有较高的耐久性，能够承受数万亿次的读写操作。其设计确保了在恶劣环境下的稳定性能，适用于宽温度范围的工作条件。
容量：512 Kbit
接口：SPI
工作电压：1.8V 至 3.6V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装形式：SOP-8
存储单元技术：FRAM
数据保留时间：超过10年
读写耐久性：超过10^12 次
FM31X104K251EEG 提供了非易失性存储功能，即使在断电的情况下也能保持数据完整性。
它具备极高的读写速度，与传统的 EEPROM 相比，延迟更低且无需写入准备时间。
该芯片的 FRAM 技术使其拥有超长的使用寿命，可以支持数万亿次的擦写周期，非常适合频繁写入的应用场景。
同时，它还具有低功耗的优势，在待机模式下电流消耗极小，适合电池供电的设备。
另外，这款芯片支持标准 SPI 协议，兼容多种微控制器，易于集成到现有系统中。
该芯片广泛应用于数据日志记录设备，如电力仪表、环境监测仪器等。
此外，它也常用于需要快速存储关键数据的场合，例如医疗监护设备中的患者数据记录。
在工业领域，FM31X104K251EEG 能够用作 PLC 控制系统的配置存储或过程数据缓冲。
由于其宽温特性和可靠性，这款芯片也被应用于汽车电子模块，如事件数据记录器（EDR）。
消费类电子产品中，例如便携式音频播放器，也可以利用其快速写入能力实现更好的用户体验。
FM31X104K251EFG, FM25L16B, MB85RC512
