FM31X104K101ECG 是一款基于铁电随机存取存储器 (FRAM) 技术的非易失性存储芯片,由富士通公司(现为 FD 社)生产。该系列芯片结合了 FRAM 的高速写入和低功耗特性,提供高可靠性和长寿命的数据存储能力。FM31X104K101ECG 具有 4 Kbit 的存储容量,并采用 I2C 接口进行通信。其设计适合工业、汽车以及消费类应用中的数据记录和配置存储需求。
FRAM 技术的核心优势在于它能够在断电后保留数据,并支持无限次读写操作,这使其成为 EEPROM 和闪存的理想替代品。
存储容量:4 Kbit
接口类型:I2C
工作电压:1.8V 至 5.5V
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
数据保持时间:超过 10 年
写入次数:>1E14 次
封装形式:SOP-8
I2C 最大时钟频率:400 kHz
FM31X104K101ECG 的主要特性包括:
1. 高速写入功能,无需等待写入完成即可继续操作。
2. 超低功耗设计,在写入和读取过程中消耗的能量极低。
3. 支持无限次读写循环,相比传统 EEPROM 或闪存具有更高的耐久性。
4. 提供快速响应时间,特别适用于频繁更新数据的应用场景。
5. 工作温度范围宽广,能够适应多种恶劣环境条件下的使用需求。
6. 内置硬件地址引脚配置,支持多颗设备共享同一总线。
7. 符合 RoHS 标准,环保且安全。
这款芯片广泛应用于以下领域:
1. 数据记录设备,如电力仪表、医疗设备和工业监控系统。
2. 配置存储模块,例如嵌入式控制器或消费类电子产品的设定保存。
3. 汽车电子系统,用于记录关键驾驶数据或存储校准信息。
4. 物联网终端节点,支持低功耗运行并提供可靠的非易失性存储功能。
5. 任何需要高频写入操作或长时间数据保存的场合均可选用 FM31X104K101ECG。
MB85RC4ML, CAT24C04B