时间：2025/6/30 11:31:24
阅读：24
FM31X104K101ECG 是一款基于铁电随机存取存储器 (FRAM) 技术的非易失性存储芯片，由富士通公司（现为 FD 社）生产。该系列芯片结合了 FRAM 的高速写入和低功耗特性，提供高可靠性和长寿命的数据存储能力。FM31X104K101ECG 具有 4 Kbit 的存储容量，并采用 I2C 接口进行通信。其设计适合工业、汽车以及消费类应用中的数据记录和配置存储需求。
FRAM 技术的核心优势在于它能够在断电后保留数据，并支持无限次读写操作，这使其成为 EEPROM 和闪存的理想替代品。
存储容量：4 Kbit
接口类型：I2C
工作电压：1.8V 至 5.5V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
数据保持时间：超过 10 年
写入次数：>1E14 次
封装形式：SOP-8
I2C 最大时钟频率：400 kHz
FM31X104K101ECG 的主要特性包括：
1. 高速写入功能，无需等待写入完成即可继续操作。
2. 超低功耗设计，在写入和读取过程中消耗的能量极低。
3. 支持无限次读写循环，相比传统 EEPROM 或闪存具有更高的耐久性。
4. 提供快速响应时间，特别适用于频繁更新数据的应用场景。
5. 工作温度范围宽广，能够适应多种恶劣环境条件下的使用需求。
6. 内置硬件地址引脚配置，支持多颗设备共享同一总线。
7. 符合 RoHS 标准，环保且安全。
这款芯片广泛应用于以下领域：
1. 数据记录设备，如电力仪表、医疗设备和工业监控系统。
2. 配置存储模块，例如嵌入式控制器或消费类电子产品的设定保存。
3. 汽车电子系统，用于记录关键驾驶数据或存储校准信息。
4. 物联网终端节点，支持低功耗运行并提供可靠的非易失性存储功能。
5. 任何需要高频写入操作或长时间数据保存的场合均可选用 FM31X104K101ECG。
MB85RC4ML, CAT24C04B
