时间：2025/5/24 19:12:48
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FM31X102K631ECG 是富士通（Fujitsu）推出的一款非易失性铁电随机存取存储器（FRAM），该芯片结合了传统RAM的高速读写特性和非易失性存储的优势。它能够在断电后保存数据，同时具备极高的读写耐久性和低功耗特性。这种存储器广泛应用于需要频繁数据记录和可靠性的工业、医疗和消费类电子设备中。
FRAM技术利用铁电材料的特性，使得数据可以在不需刷新的情况下长期保存，其读写速度接近SRAM，但不需要像闪存一样进行擦除操作，因此非常适合于需要频繁数据更新的应用场景。
存储容量：256 Kbit
接口类型：I2C
工作电压：1.7V 至 3.6V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装形式：SOP-8
数据保留时间：超过10年
读写次数：超过10^12次
FM31X102K631ECG 的主要特性包括：
1. 非易失性：即使在断电情况下也能保存数据，无需额外的电池支持。
2. 高速读写：其写入速度比EEPROM和闪存快几个数量级。
3. 超高耐久性：支持超过一万亿次的读写周期，适用于高频数据记录场景。
4. 低功耗：写入操作无需高电流脉冲，整体能耗显著低于传统存储器。
5. 简化设计：由于无需擦除操作，简化了软件和硬件设计流程。
6. 宽工作电压范围：支持1.7V到3.6V的工作电压，适应多种供电环境。
该芯片被广泛应用于以下领域：
1. 工业自动化：用于数据日志记录、配置存储等。
2. 医疗设备：如便携式健康监测设备中的关键数据存储。
3. 计量仪表：智能电表、水表和气表中的数据采集与保存。
4. 消费电子产品：如游戏机、数码相机等需要快速存储的应用。
5. 物联网设备：传感器节点中的数据缓存和永久存储。
6. 金融设备：ATM机和POS终端中的交易数据临时存储。
MB85RC256V-MNE-GR, CAT256B
