FM31X102K631ECG 是富士通(Fujitsu)推出的一款非易失性铁电随机存取存储器(FRAM),该芯片结合了传统RAM的高速读写特性和非易失性存储的优势。它能够在断电后保存数据,同时具备极高的读写耐久性和低功耗特性。这种存储器广泛应用于需要频繁数据记录和可靠性的工业、医疗和消费类电子设备中。
FRAM技术利用铁电材料的特性,使得数据可以在不需刷新的情况下长期保存,其读写速度接近SRAM,但不需要像闪存一样进行擦除操作,因此非常适合于需要频繁数据更新的应用场景。
存储容量:256 Kbit
接口类型:I2C
工作电压:1.7V 至 3.6V
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装形式:SOP-8
数据保留时间:超过10年
读写次数:超过10^12次
FM31X102K631ECG 的主要特性包括:
1. 非易失性:即使在断电情况下也能保存数据,无需额外的电池支持。
2. 高速读写:其写入速度比EEPROM和闪存快几个数量级。
3. 超高耐久性:支持超过一万亿次的读写周期,适用于高频数据记录场景。
4. 低功耗:写入操作无需高电流脉冲,整体能耗显著低于传统存储器。
5. 简化设计:由于无需擦除操作,简化了软件和硬件设计流程。
6. 宽工作电压范围:支持1.7V到3.6V的工作电压,适应多种供电环境。
该芯片被广泛应用于以下领域:
1. 工业自动化:用于数据日志记录、配置存储等。
2. 医疗设备:如便携式健康监测设备中的关键数据存储。
3. 计量仪表:智能电表、水表和气表中的数据采集与保存。
4. 消费电子产品:如游戏机、数码相机等需要快速存储的应用。
5. 物联网设备:传感器节点中的数据缓存和永久存储。
6. 金融设备:ATM机和POS终端中的交易数据临时存储。
MB85RC256V-MNE-GR, CAT256B