FM31N222J501EEG 是富士通(Fujitsu)生产的铁电随机存取存储器(FRAM),该芯片结合了非易失性存储和快速写入的优点,能够在断电后保存数据。相比传统的 EEPROM 和闪存,FRAM 提供更快的写入速度、更低的功耗以及更高的读写耐久性,适合需要频繁数据记录的应用场景。
FM31N222 系列 FRAM 模块采用 I2C 接口,支持多种容量选择,具有高可靠性、低延迟和宽工作温度范围等特性。
容量:256Kb(32KB)
接口类型:I2C
工作电压:1.7V 至 3.6V
工作频率:400kHz(标准模式)、1MHz(快速模式)
数据保持时间:超过10年
擦写次数:10^12次
工作温度范围:-40℃ 至 +85℃
封装形式:LGA-12
FM31N222J501EEG 具有以下显著特性:
1. 非易失性存储功能,无需电池即可保存数据。
2. 极高的读写耐久性,能够承受高达 10^12 次擦写循环。
3. 快速写入能力,数据写入无需等待时间。
4. 低功耗设计,尤其在写入操作时功耗显著低于 EEPROM 或闪存。
5. 宽工作电压范围,适应不同电源环境。
6. 支持多主设备同时访问的 I2C 协议。
7. 工作温度范围宽广,适用于工业及恶劣环境应用。
该芯片广泛应用于需要频繁记录或更新数据的场景中,例如:
1. 工业自动化中的数据日志记录。
2. 医疗设备的数据存储与实时更新。
3. 计量仪表(如水表、电表)的累计数据保存。
4. 物联网设备的状态监控和参数存储。
5. 金融终端的安全交易数据记录。
6. 各类嵌入式系统的配置参数存储。
FM31N222J501EGH, FM31N222J501EGT