时间：2025/6/9 14:23:10
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FM31N103J201EEG 是一款由富士通微电子（Fujitsu Microelectronics）生产的铁电随机存取存储器（FeRAM），具有非易失性、高速读写和低功耗的特性。该芯片采用先进的铁电工艺制造，能够在断电后保存数据，同时提供类似SRAM的速度和耐用性。
这款FeRAM主要应用于需要频繁写入和快速响应的数据记录场景，例如工业控制、医疗设备、消费电子以及汽车电子等领域。
容量：256Kb (32K x 8)
接口类型：SPI
工作电压：1.71V 至 3.6V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装形式：TSSOP-8
数据保持时间：超过10年
写入次数：至少1E10次
FM31N103J201EEG 提供了高可靠性和优异的性能，以下是其主要特点：
1. 非易失性存储：即使在断电的情况下，数据也可以长期保存。
2. 高速读写能力：相比传统的EEPROM或闪存，写入速度更快且无需写入延迟。
3. 耐用性强：可承受高达1万亿次的写入操作，适合频繁更新的应用场景。
4. 低功耗设计：写入操作几乎不消耗额外的能量，非常适合电池供电的设备。
5. 简化的系统架构：不需要复杂的写入管理或磨损均衡算法。
6. 宽工作电压范围：支持从1.71V到3.6V的电压输入，适用于多种电源环境。
FM31N103J201EEG 可广泛应用于以下领域：
1. 工业自动化：用于实时数据记录和设备状态监控。
2. 医疗设备：如便携式健康监测设备中的患者数据存储。
3. 汽车电子：包括事件数据记录仪（EDR）、导航系统和车载信息娱乐系统的数据缓存。
4. 消费电子产品：例如数码相机中的图像设置保存、智能家电的状态存储。
）：为传感器节点提供本地数据存储功能。
MB85RS2MT, CAT25S21CI, FM25L16B
