FM31L274-GTR是一款由Renesas Electronics公司推出的F-RAM(非易失性存储器)芯片,结合了RAM的高速读写特性和Flash的非易失性优势。该芯片采用先进的铁电技术(FRAM),在掉电情况下能够快速保存数据,适用于需要频繁写入和高可靠性存储的应用场景。
存储容量:4 Kbit(512 x 8)
接口类型:I2C
电源电压范围:2.7V 至 3.6V
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装类型:TSSOP
最大时钟频率:1 MHz
写入耐久性:10^14 次/位
数据保留时间:超过10年(无需电源)
FM31L274-GTR具有极高的写入耐久性,能够支持高达10^14次/位的读写操作,远超传统的EEPROM和Flash存储器,适合频繁写入的应用场景。该芯片支持高速I2C接口,最大时钟频率可达1 MHz,提供快速的数据访问能力,同时在掉电情况下能够立即保存数据,避免数据丢失。电源电压范围为2.7V至3.6V,适应性强,能够在宽电压范围内稳定工作。其数据保留时间超过10年,即使在没有电源的情况下也能确保数据安全。此外,FM31L274-GTR的工作温度范围为-40°C至+85°C,具备良好的温度适应性和稳定性,适合在工业级环境中使用。
该芯片广泛应用于需要高可靠性数据存储和频繁写入的场合,如工业自动化设备、智能仪表、医疗设备、数据采集系统、安全系统以及电池供电设备等。其非易失性存储特性使其成为替代EEPROM和Flash的理想选择。
MB85RC4001A-XXX、FM24V05-GTR、CY15B104Q-SXIT