类型：F-RAM
　　容量：32 Kbit (4 K × 8)
　　接口类型：SPI（四线制，支持模式0和模式3）
　　工作电压：2.7V 至 3.6V
　　最大时钟频率：10 MHz
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装形式：8-TSSOP 或 8-SOIC
　　写入耐久性：10^14 次/字节
　　数据保持时间：10年（典型值）
　　待机电流：1 μA（典型值）
　　工作电流：5 mA（典型值，10 MHz连续访问）
　　写入周期时间：无延迟（即时写入）

FM30TF-10S的核心特性之一是其基于铁电电容的存储单元结构，这种结构使得它在进行数据写入时无需像EEPROM或Flash那样执行擦除-编程循环，从而实现了真正的“无延迟”写入操作。这意味着每一次写入命令都能立即完成，不会出现因内部编程时间导致的总线阻塞现象，极大提升了系统的响应速度和效率。该特性特别适用于需要实时记录传感器数据、日志信息或配置参数的应用场景，例如在工业自动化系统中记录设备运行状态或在医疗设备中保存患者治疗数据。
　　另一个显著优势是其卓越的耐久性。传统EEPROM通常仅支持约10^5到10^6次的写入寿命，而FM30TF-10S可承受高达10^14次的读写操作，这使其在高频写入应用中表现出色，极大地延长了系统整体的使用寿命并减少了维护成本。此外，由于其写入过程不依赖于高电压编程机制，因此不仅降低了功耗，还避免了因反复编程引起的器件老化问题。
　　FM30TF-10S还具备出色的低功耗性能。在待机模式下，其电流消耗仅为1微安左右，非常适合用于电池供电或能量采集系统。同时，在写入和读取过程中，其动态功耗也远低于同类非易失性存储器，有助于实现绿色节能设计。该芯片还内置了写保护功能，通过硬件WP引脚或软件指令实现对存储区域的保护，防止意外写入或数据篡改，增强了系统的数据安全性。
　　此外，该器件具有良好的环境适应性，可在-40°C至+85°C的宽温范围内稳定工作，并具备较强的抗电磁干扰能力和抗辐射性能，适用于工业现场、车载电子等复杂电磁环境下的应用。其SPI接口兼容性强，易于与各类微控制器连接，简化了系统设计和开发流程。

FM30TF-10S广泛应用于多个对数据可靠性、写入速度和耐久性有高要求的领域。在工业控制系统中，常用于PLC（可编程逻辑控制器）、远程I/O模块和传感器节点中，用于实时记录设备运行参数、故障日志和校准数据。由于其快速写入和高耐久性，能够确保在电源突然中断时关键数据不丢失，提高了系统的安全性和稳定性。
　　在智能仪表领域，如智能电表、水表和气表中，FM30TF-10S可用于存储用户的用量数据、抄表记录和设备配置信息。这些设备通常需要频繁更新计量数据，而传统EEPROM可能因写入寿命限制而提前失效，而F-RAM则能完美胜任此类任务，保障长期可靠运行。
　　在医疗电子设备中，如便携式监护仪、血糖仪和输液泵等，FM30TF-10S可用于存储患者治疗记录、设备使用日志和校准信息。这些数据对患者安全至关重要，必须保证在任何情况下都不会丢失或损坏。其非易失性和高可靠性正好满足这一需求。
　　在汽车电子系统中，FM30TF-10S可用于车载黑匣子（Event Data Recorder）、ECU配置存储和车载传感器数据缓存。其宽温特性和抗干扰能力使其能够在恶劣的车载环境中稳定工作。此外，在物联网终端设备、POS机、打印机和网络通信设备中也有广泛应用，作为配置存储或事件日志记录介质。

CY15B104QSN,CY15B104QSXI,FMB30H-10S,FM25V05-G