类型：FRAM
　　容量：2 Mbit（256 KB × 8）
　　接口类型：SPI（串行外设接口）
　　工作电压：2.7V 至 3.6V
　　最大时钟频率：40 MHz
　　读写耐久性：101? 次/位（几乎无限次）
　　数据保持时间：超过10年（无需电池）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：8引脚 USON（超小型无引脚封装）

FM2G75US120 的核心优势在于其 FRAM 技术所带来的独特性能。首先，它具备极高的读写耐久性，支持高达 101? 次/位的读写操作，远超传统EEPROM和Flash存储器的擦写寿命（通常为10?~10?次）。这意味着它可以用于需要频繁写入数据的应用场景，而无需担心存储单元的磨损问题。
　　其次，该芯片具有高速读写能力，支持高达40 MHz的SPI时钟频率，使得数据存取速度接近SRAM的水平，极大地提升了系统的响应能力。此外，FM2G75US120 无需写入等待时间，数据在写入命令发出后即可立即保存，避免了传统非易失性存储器中常见的写入延迟问题。
　　第三，该芯片具有卓越的低功耗特性。在读写操作中，FRAM 的功耗远低于Flash存储器，非常适合电池供电或对功耗敏感的应用场景。同时，其非易失性特性也意味着即使在断电情况下数据也不会丢失，无需额外的电池备份电路。
　　最后，FM2G75US120 的工作温度范围为 -40°C 至 +85°C，适用于各种工业环境。其采用的8引脚 USON 封装形式具有较小的封装尺寸和良好的散热性能，适合高密度PCB布局。

FM2G75US120 适用于多种对数据存储可靠性、读写速度和耐久性要求较高的应用场景。例如，在工业控制系统中，它可用于存储关键配置参数、事件日志和实时数据记录；在医疗设备中，可用于存储患者数据和设备校准信息，确保数据在断电后依然保留；在智能仪表和传感器节点中，可实现高频数据采集与存储；在车载电子系统中，可用于存储故障代码和运行日志等重要信息。
　　此外，该芯片也适用于物联网（IoT）设备、数据采集系统、智能电表、安防监控系统以及需要高速非易失性存储的嵌入式系统。其SPI接口兼容性强，易于与各种微控制器（MCU）和处理器连接，适合快速开发和部署。

FM25V02-QTR、MB85RS2MTY、CY15B104Q-SXN