时间：2025/11/3 18:31:20
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FM28V102A-TG是一款由Cypress Semiconductor（现为英飞凌科技Infineon Technologies的一部分）推出的1兆位（128K × 8/64K × 16）串行外设接口（SPI）非易失性铁电随机存取存储器（F-RAM）。该器件结合了传统SRAM的高速读写性能与非易失性存储器的数据保持能力，采用先进的铁电技术替代传统的浮栅技术，从而实现了无限次的读写耐久性和极低的写入功耗。FM28V102A-TG工作电压范围为3.0V至3.6V，适用于需要频繁写入、快速响应和高可靠性的工业控制、医疗设备、汽车电子及通信系统等应用领域。该芯片封装形式为8引脚TSSOP，符合RoHS环保标准，并具备高抗辐射和抗干扰能力，适合在恶劣环境下稳定运行。F-RAM技术无需写等待时间，所有地址的写入操作均可立即执行，显著提升了系统效率。此外，FM28V102A-TG支持标准SPI模式0和模式3协议，兼容广泛使用的微控制器和处理器接口，简化了系统设计与集成过程。
容量：1 Mbit
组织结构：128K × 8 或 64K × 16
供电电压：3.0V ~ 3.6V
工作电流：读取时典型值为15mA，待机电流小于10μA
接口类型：SPI（四线制：SI, SO, SCK, CS#）
时钟频率：最高支持33MHz
写入耐久性：> 10^14 次读/写周期
数据保持时间：超过10年（在85°C下）
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装形式：8-TSSOP
FM28V102A-TG的核心优势在于其基于铁电技术的非易失性存储单元，这种材料具有独特的物理特性，能够在断电后长期保留数据，同时支持几乎无限次的读写操作。与传统的EEPROM或Flash存储器相比，F-RAM不需要写入延迟或擦除周期，每一个字节都可以立即进行写入操作，极大提升了系统的实时性和响应速度。这使得它特别适用于需要频繁记录传感器数据、日志信息或配置参数的应用场景。例如，在工业自动化控制系统中，PLC模块需要不断保存状态变化和事件记录，使用FM28V102A-TG可以避免因写入延迟导致的数据丢失风险。
该器件的另一个显著特点是超低功耗写入机制。由于铁电极化翻转所需的能量远低于浮栅晶体管的隧穿电流，因此其写入功耗仅为传统非易失性存储器的千分之一左右。这一特性使其非常适合用于电池供电或能源受限的嵌入式系统，如便携式医疗监测设备、智能仪表和无线传感节点。此外，极低的写入功耗也减少了热积累，有助于提高系统的长期稳定性。
FM28V102A-TG还具备出色的抗辐射能力和数据可靠性。铁电材料对电离辐射不敏感，因此在高辐射环境（如航空航天、核设施监控）中仍能保持数据完整性。同时，该器件没有像Flash那样的区块磨损问题，所有存储单元的寿命一致，无需复杂的磨损均衡算法即可实现均匀使用。此外，其SPI接口支持标准命令集，包括写使能、写禁止、读状态寄存器、读/写数据等，便于软件开发和调试。内置的状态寄存器可提供写入就绪标志，帮助主机准确判断何时可以发起新的写操作，进一步提升通信效率。
FM28V102A-TG广泛应用于对数据写入频率高、实时性强和可靠性要求高的嵌入式系统中。在工业控制领域，常用于可编程逻辑控制器（PLC）、远程终端单元（RTU）和数据采集系统中，用于实时记录设备运行状态、故障日志和工艺参数，确保即使突然断电也不会丢失关键信息。在医疗电子设备中，如病人监护仪、血糖仪和便携式超声设备，该芯片可用于存储患者测量数据和设备校准信息，满足严格的法规合规性和数据完整性要求。
在汽车电子方面，FM28V102A-TG可用于车载记录仪、发动机控制单元（ECU）和高级驾驶辅助系统（ADAS），用于频繁更新车辆状态信息和事件日志。其宽温工作范围和高抗干扰能力使其适应复杂的车载电气环境。在通信基础设施中，如基站控制器和网络交换设备，该芯片可用于配置缓存和运行日志存储，保障系统在重启或故障恢复时能够快速还原配置。
此外，该器件也适用于智能电表、水表、燃气表等计量设备，作为事件记录和抄表数据的临时存储介质，确保计费数据的安全性和准确性。由于其无需后备电池即可实现非易失性存储，可大幅降低系统维护成本并提升环保性能。对于需要长时间无人值守运行的远程监控系统，如气象站、地震监测站等，FM28V102A-TG提供的高耐久性和低功耗特性使其成为理想的存储解决方案。
CY15B104QSN,CY15B108QN,FM25V05-G
