容量：128 Kbit
　　接口类型：SPI
　　工作电压：2.7V - 3.6V
　　最大时钟频率：40 MHz
　　存储器组织：16K x 8
　　写入耐久性：10^14 次/位
　　数据保留时间：超过 10 年
　　封装形式：8-pin SOIC、TSSOP、PDIP

高速写入能力：FM25W128 支持以 SPI 接口进行高速数据写入，无需像 EEPROM 那样等待写入周期完成，显著提高了系统效率。
　　高耐用性：该芯片的写入耐久性高达 10^14 次/位，远超传统的 EEPROM 和 Flash 存储器，适用于需要频繁写入的应用场景。
　　非易失性存储：FRAM 技术结合了 RAM 的高速读写特性和 ROM 的非易失性优点，无需备用电源即可长期保存数据。
　　低功耗运行：FM25W128 在读写操作中的功耗非常低，适合电池供电设备和对能耗敏感的应用。
　　兼容性好：支持标准 SPI 模式 0 和模式 3，方便与多种主控芯片连接和通信。
　　可靠性高：具备宽温度范围支持（-40°C 至 +85°C），适用于工业级和车载应用环境。

工业控制系统：用于实时数据记录和参数存储，如传感器数据采集系统。
　　智能电表和能源管理系统：在电力计量设备中保存配置信息和历史数据，确保断电后数据不丢失。
　　医疗设备：在便携式或嵌入式医疗设备中用于存储患者数据和设备设置信息。
　　车载电子系统：应用于车载记录仪、导航系统等需要高可靠性和频繁写入能力的场景。
　　物联网设备：作为边缘计算设备中的高速非易失性存储单元，用于临时数据缓存和日志记录。

FM25W256、FRAM MB85RS128、Cypress nvSRAMs（如 CY14B101Q）