时间：2025/12/29 13:09:17
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FM25L256B-G 是由 Cypress Semiconductor（原 FTDI）生产的一款串行铁电存储器（FRAM）芯片，容量为 256 Kbit。FRAM 是一种非易失性存储器技术，结合了 RAM 的高速读写特性和 Flash 的非易失性，能够在断电后保留数据，同时具备几乎无限的读写耐久性。该芯片采用标准的 SPI 接口进行通信，适用于对写入速度和耐久性要求较高的应用场合。
容量：256 Kbit
接口类型：SPI
最大时钟频率：40 MHz
工作电压：2.7V 至 3.6V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：8-SOIC
读写耐久性：10^14 次读/写周期
数据保存时间：10 年以上
FM25L256B-G 的最大特点是其采用铁电存储器技术，使得其写入速度非常快，且无需等待写入周期完成，避免了 Flash 存储器常见的写入延迟问题。
此外，该芯片具备极高的写入耐久性，可支持多达 10^14 次读写周期，远高于传统 EEPROM 和 Flash 存储器，适合频繁写入数据的应用场景。
其低功耗特性也使其适用于电池供电设备和嵌入式系统。在工作电压方面，支持 2.7V 至 3.6V 宽电压范围，增强了其在不同系统环境下的适用性。
封装方面采用 8-SOIC 封装，便于集成于各种 PCB 设计中。SPI 接口兼容性强，易于与微控制器或其他主控设备连接。此外，数据保存时间超过 10 年，确保了数据的长期可靠性。
该芯片广泛应用于需要频繁写入数据并要求高可靠性的嵌入式系统中，如工业控制系统、智能电表、医疗设备、数据记录器、安全系统、汽车电子等。
例如，在智能电表中可用于存储电能使用数据和配置信息；在医疗设备中可用于保存患者数据和设备校准信息；在工业控制系统中可用于记录设备运行状态和故障信息。
由于其高速写入和低功耗特性，FM25L256B-G 也适用于物联网（IoT）设备、便携式电子产品以及需要实时数据存储的场合。
FM25L256B-G 的替代型号包括 Cypress 的 FM25L256B-GTR（TSSOP 封装）、FM25V05-G（容量为 512 Kbit）以及其他品牌的 FRAM 芯片如 Ramtron（现属于 STMicroelectronics）的 FM25CL64B-GTR（64 Kbit）或 Fujitsu 的 MB85RS256A（256 Kbit）。
