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FM25CL64B-GTR 发布时间 时间:2024/7/1 17:59:35 查看 阅读:180

FM25CL64B-GTR是一款容量为64Kbit(8KB)的串行接口FRAM存储器,采用SPI接口,能够以最高40MHz的速度进行数据传输。FRAM是一种新型的非易失性存储器件,它采用铁电材料作为存储单元,并具有快速读写、高可靠性、低功耗等优点,因此在一些特定的应用场合中,已经开始逐渐取代传统的EEPROM、Flash等存储器件。
  FM25CL64B-GTR的操作理论与传统的EEPROM、Flash等存储器件有所不同。FRAM采用铁电材料作为存储单元,铁电材料具有两种稳定的取向状态,分别对应着二进制的0和1。在写入数据时,FRAM会通过外部电场改变铁电材料的取向状态,从而实现数据的存储。在读取数据时,FRAM会通过外部电场读取铁电材料的取向状态,从而实现数据的读取。
  与EEPROM、Flash等存储器件相比,FRAM的读写速度极快,读写功耗极低,而且可以无限次擦写,因此在一些需要频繁读写的应用场合中,FRAM有着得天独厚的优势。

基本结构

FM25CL64B-GTR的主要组成部分包括铁电存储单元、选通逻辑、寄存器、SPI接口等。其中,铁电存储单元是存储信息的核心部分,选通逻辑用于控制存储单元的选通与非选通状态,寄存器用于存储控制器与存储器之间的数据,SPI接口用于与外部控制器进行数据通信。

参数

1、存储容量:64K位(8K字节)
  2、工作电压:2.7V至3.6V
  3、接口类型:SPI
  4、工作温度范围:-40℃至+85℃
  5、封装形式:8引脚SOIC

特点

1、高速存取:FM25CL64B-GTR具有快速的存储器读取和写入速度,可以快速地存储和读取数据。
  2、低功耗:FM25CL64B-GTR在工作过程中的功耗非常低,可以大大延长嵌入式系统的电池寿命。
  3、高可靠性:FM25CL64B-GTR采用了可靠的闪存技术,同时具有错误检测和纠正功能,可以提高数据的可靠性和安全性。
  4、大容量:FM25CL64B-GTR具有64K位的存储容量,可以存储大量的数据。
  5、可编程:FM25CL64B-GTR可以通过SPI接口进行编程,用户可以自定义存储器的操作方式和存储数据。

工作原理

FM25CL64B-GTR采用SPI接口进行通信,它由四个主要部分组成:存储单元、控制逻辑、SPI接口和供电电路。存储单元是存储数据的主要部分,控制逻辑用于控制存储器的操作,SPI接口用于与其他设备进行通信,供电电路用于为存储器提供电源。
  在读取数据时,主控制器将读取命令发送到存储器,存储器将数据从存储单元读出,并通过SPI接口返回给主控制器。在写入数据时,主控制器将写入命令和数据发送到存储器,存储器将数据写入存储单元。
  FM25CL64B-GTR还具有多种保护和安全功能,如写保护和密码保护,可以保障数据的安全性。

应用

FM25CL64B-GTR广泛应用于各种嵌入式系统中,如智能家居、工业自动化、医疗设备等。它可以存储和读取各种数据,如配置信息、用户数据、历史记录等。

如何使用

使用FM25CL64B-GTR时,需要注意以下几点:
  1、电源供应:FM25CL64B-GTR的工作电压范围为2.7V至3.6V,应该选择合适的电源供应。
  2、引脚连接:FM25CL64B-GTR采用8引脚SOIC封装形式,应该正确连接各个引脚。
  3、SPI协议:FM25CL64B-GTR采用SPI接口进行通信,应该按照SPI协议进行通信。
  4、数据读写:使用FM25CL64B-GTR时,需要按照存储器的读写规则进行数据读写操作。

安装要点

FM25CL64B-GTR的安装要点包括以下几个步骤:
  1.焊接注意事项:在焊接FM25CL64B-GTR时,需要注意焊接温度和时间,避免焊接过度或不足而导致损坏。同时,还需要注意防静电,避免静电干扰产生损坏。
  2.布线注意事项:在布线时,需要注意信号完整性和电气性能,避免布线引起的信号干扰和电气问题。
  3.接口注意事项:在连接FM25CL64B-GTR时,需要注意接口的正确连接,避免连接错误导致损坏。
  4.环境注意事项:在使用FM25CL64B-GTR时,需要注意环境温度和湿度,避免环境因素对其产生影响。

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FM25CL64B-GTR参数

  • 制造商Ramtron
  • 工作电源电压3 V
  • 工作温度范围- 40 C to + 85 C
  • 封装Reel
  • 工厂包装数量2500