时间：2025/7/16 19:11:05
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FM24V10-GTR是一款由FerroTec（原Ramtron）公司生产的非易失性存储器（FRAM，铁电存储器），型号为FM24V10。它是一种结合了RAM的高速写入和ROM的非易失性特点的先进存储技术。与传统的EEPROM或Flash相比，FRAM不需要长时间的写入延迟，并且具备更高的写入耐久性，支持无限次的读写操作。
容量：1 Mbit
组织结构：128K x 8位
接口类型：I2C兼容串行接口
工作电压范围：3.0V 至 5.5V
最大时钟频率：1 MHz
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装形式：8引脚TSSOP
写入耐久性：1012次/位
数据保持时间：超过10年
FM24V10-GTR的主要特性包括其采用先进的铁电存储技术，实现了类似于SRAM的高速写入能力而无需等待时间，同时在断电后仍能保持数据不丢失。
该芯片具有极高的写入耐久性，每个存储单元可承受高达1万亿次的写入操作，远超传统EEPROM和Flash的擦写寿命限制，极大地延长了设备的使用寿命。
其I2C接口兼容性强，能够轻松集成到各种嵌入式系统中，适用于需要频繁更新数据的应用场景。
此外，FM24V10的工作电压范围较宽，可在3.0V至5.5V之间稳定运行，使其适用于多种电源设计环境。
由于其非易失性特性和低功耗待机模式，FM24V10非常适合用于数据采集、工业控制系统、智能仪表、医疗设备以及汽车电子等对可靠性要求较高的领域。
FM24V10-GTR广泛应用于需要高可靠性和高频次写入的场合，如工业自动化控制系统的实时数据记录、电力仪表的电量累计存储、医疗设备中的患者数据保存、车载导航及远程信息处理系统中的关键信息存储等。
此外，该芯片也常被用于安防监控系统中的日志记录、智能卡终端的数据缓存、POS机交易信息保存等领域，确保即使在突发断电的情况下也能保证数据的完整性和安全性。
由于其优异的性能表现，FM24V10-GTR还可作为传统EEPROM或Flash的高性能替代方案，在空间受限或对写入速度有较高要求的设计中发挥重要作用。
CYFRAM24C64A, MB85RC1MT
