容量：16 Kbit (2048 × 8)
　　接口类型：I2C，兼容标准模式（100 kHz）和快速模式（400 kHz）
　　工作电压：2.0V ~ 3.6V
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装类型：8-TDFN (Thin Dual Flat No-lead)
　　器件型号：FM24CL16-GTR
　　制造商：Lattice Semiconductor
　　存储技术：F-RAM（铁电随机存取存储器）
　　写入耐久性：10^14 次读/写周期
　　数据保持时间：10年 @ 85°C
　　待机电流：1 μA 典型值
　　主动电流：200 μA @ 100 kHz
　　页大小：16 字节
　　地址长度：8位设备地址 + 11位内存地址
　　写入时间：无延迟写入（即时完成）

FM24CL16-GTR的核心优势在于其采用的铁电存储技术（F-RAM），这种技术利用铁电材料的极化状态来存储数据，具有非易失性的同时支持类似SRAM的高速读写性能。与传统的EEPROM或Flash不同，F-RAM在写入过程中不需要预擦除步骤，也不存在写入延迟，因此每次写入操作都是即时完成的，极大提升了系统响应速度和效率。此外，由于其写入机制是非破坏性的，不会因反复读取导致单元损耗，从而实现了高达10^14次的读写耐久性，远远超过普通EEPROM的10万次上限，使得该器件非常适合用于需要持续进行数据更新的应用场景，如传感器数据采集、工业控制日志记录等。
　　该芯片支持标准I2C总线协议，兼容100kHz和400kHz两种速率，允许多个设备共享同一总线，并通过硬件地址引脚（A0, A1, A2）实现最多8个相同器件的并联使用，扩展存储容量。在低功耗方面，FM24CL16-GTR表现出色：待机状态下电流仅约1μA，主动工作时也仅为200μA左右，显著降低了整体系统能耗，适用于电池供电或对能效要求较高的便携式设备。同时，其宽温工作范围（-40°C至+85°C）确保了在恶劣工业环境下的稳定运行。
　　另一个关键特性是数据安全性与可靠性。F-RAM无需写保护机制即可防止意外写入，且抗辐射能力强，在高电磁干扰环境中仍能保持数据完整性。出厂时已集成写保护功能，可通过软件命令控制特定地址区域的只读属性。此外，该器件符合RoHS环保标准，不含铅，适用于绿色电子产品设计。FM24CL16-GTR还具备卓越的数据保持能力，在85°C环境下可确保数据保存10年以上，而在常温下则可达到数十年级别，确保长期存储的可靠性。

FM24CL16-GTR被广泛应用于多个领域，尤其适用于需要频繁写入和高可靠性的场合。在工业自动化系统中，它常用于存储PLC配置参数、设备校准数据和生产过程中的实时监控信息；在医疗设备中，可用于记录患者治疗历史、仪器使用日志和传感器测量结果，确保断电后数据不丢失。汽车电子领域将其用于车载黑匣子、ECU参数备份以及里程表数据存储，提升系统的安全性和可追溯性。在智能仪表（如电表、水表、气表）中，该芯片承担着计费数据和用户设置的持久化任务，因其无延迟写入特性可有效防止数据丢失风险。此外，消费类电子产品如打印机、POS终端、智能家居控制器等也利用其低功耗和长寿命的优势，用于保存用户偏好设置、固件更新日志和运行状态信息。由于其小尺寸封装和I2C接口的简洁性，FM24CL16-GTR也非常适合用于空间受限的便携式设备和物联网节点中，作为高性能替代传统EEPROM的理想选择。

CY15B104QSN,CY15B108QS,FM24V10-GTR