FM21X103K251ECG是一款高性能的铁电随机存取存储器(FRAM),由富士通(Fujitsu)公司生产。FRAM结合了RAM和ROM的优点,具有非易失性、高速读写、低功耗以及高耐久性的特点。这款芯片通常用于需要频繁数据记录和掉电后数据保持的应用场景。
FM21X103K251ECG采用串行接口(如I2C或SPI),便于与微控制器或其他系统组件进行通信。其存储容量为4Kbit,并且支持多种工作电压范围。
存储容量:4Kbit
接口类型:I2C/SPI
工作电压:1.8V至3.6V
工作温度范围:-40°C至+85°C
封装形式:SOP-8
数据保留时间:超过10年
写入周期:无限制
访问时间:小于150ns
FM21X103K251ECG的主要特点是其非易失性存储能力,即使在电源中断的情况下也能保持数据完整。此外,它具有非常高的写入耐久性,能够承受超过一万亿次的读写操作,这使得它非常适合于需要频繁写入数据的环境。相比传统的EEPROM或闪存,FRAM的写入速度更快,功耗更低,且无需写入前的擦除操作。
该芯片还具备出色的抗辐射性能,在恶劣环境下仍能稳定工作。由于其低延迟特性和快速响应,FM21X103K251ECG在工业控制、医疗设备、计量仪器和数据记录仪等领域得到了广泛应用。
FM21X103K251ECG适用于多种需要高可靠性和高频数据记录的场景,例如:
1. 工业自动化中的实时数据采集和存储。
2. 医疗器械中的患者信息和诊断数据保存。
3. 计量仪表(如水表、电表、气表)中累计用量的数据记录。
4. 数据记录仪和黑匣子等关键任务应用中的事件日志存储。
5. 消费电子产品的配置参数和用户偏好设置保存。
6. RFID标签和智能卡中的小型数据存储单元。
MB85RC4ML, FM25L04B, CAT24C02