存储容量：8 Mbit (1M × 8)
　　接口类型：SPI (支持模式0和模式3)
　　工作电压：2.7V ~ 3.6V
　　时钟频率：最高40 MHz
　　工作温度：-40°C ~ +85°C
　　封装形式：TSSOP-8
　　写入耐久性：> 10^14 次/字节
　　数据保持时间：> 10 年（典型值）
　　待机电流：< 10 μA
　　工作电流：< 5 mA（典型，40MHz）
　　写保护功能：硬件WP引脚 + 软件写保护
　　存储结构：线性寻址，按字节操作

FM20L08-60TG的核心技术基于铁电存储单元（Ferroelectric Random Access Memory），其存储机制不同于传统浮栅型非易失性存储器（如Flash或EEPROM）。它使用具有自发极化的铁电材料（通常为PZT，锆钛酸铅）作为电容介质，在施加电场时可实现两种稳定极化状态，分别代表逻辑“0”和“1”。这种物理机制使得FRAM具备近乎无限的写入寿命，理论上可达10^14次以上，远超EEPROM的10^5~10^6次和Flash的10^4~10^5次。因此，在需要频繁记录传感器数据、事件日志或配置信息的应用中，FM20L08-60TG可以避免因写入磨损导致的器件失效问题。
　　此外，由于FRAM在写入过程中不需要像EEPROM那样进行擦除或编程延时，所有写操作均可即时完成，不存在写延迟（Write Delay），极大提升了系统的响应速度和效率。这一特性对于实时数据采集系统尤为重要，例如在电力监测设备中每毫秒记录一次电压电流值，若使用传统EEPROM可能因写入瓶颈造成数据丢失，而FM20L08-60TG则能轻松应对。
　　在功耗方面，FM20L08-60TG表现出色。其读写操作的功耗仅为同类EEPROM的十分之一左右，因为写入过程无需高压生成电路，从而大幅降低了动态功耗。同时，待机状态下电流低于10μA，有助于延长电池供电设备的工作时间。这使其成为便携式医疗设备、无线传感节点等低功耗应用的理想选择。
　　该芯片还集成了多种数据保护机制，包括硬件写保护引脚（WP）和软件指令级写保护，防止误操作导致关键数据被覆盖。SPI接口兼容性强，支持高速传输，并可通过分页缓冲机制优化连续写入性能。整体设计兼顾可靠性、速度与能效，适用于高可靠性要求的工业与汽车级应用场景。

FM20L08-60TG凭借其卓越的写入耐久性、快速无延迟写入能力以及低功耗特性，广泛应用于多个对数据记录性能要求较高的领域。在工业自动化系统中，常用于PLC控制器、远程I/O模块和数据采集终端，用于实时保存工艺参数、运行日志和故障记录，确保即使在频繁断电重启的情况下也能完整保留历史信息。在智能电表、水表、燃气表等公用事业计量设备中，该芯片可用于存储累计用量、时段费率和用户设置，避免因每日多次写入导致存储器提前老化。
　　在医疗电子设备中，如血糖仪、心电监护仪和便携式输液泵，FM20L08-60TG可用于存储患者测量数据、操作记录和设备校准参数，保障数据安全性和连续性。由于其无写入延迟，特别适合突发性生命体征捕捉场景，不会因存储响应慢而遗漏关键数据。
　　汽车电子领域也逐步采用FRAM技术，FM20L08-60TG可用于车载黑匣子（Event Data Recorder）、胎压监测系统（TPMS）和车身控制模块，记录车辆运行状态和事故前后信息，满足车规级可靠性和长寿命要求。
　　此外，在物联网边缘节点、RFID标签扩展存储、POS终端和打印机中，该芯片同样发挥着重要作用。例如在零售POS机中，每笔交易都需要立即写入非易失性存储器以防止断电丢失，传统Flash存在寿命限制，而FM20L08-60TG可支持数十年高频写入而不损坏。其小封装形式也便于集成于紧凑型PCB布局中，提升产品整体可靠性与维护周期。

CY15B108QN,CY15B104QN,MB85RS1MT