FM18X103K201PBG 是一款高性能的 FRAM(铁电随机存取存储器)芯片,由富士通半导体(Fujitsu Semiconductor)生产。FRAM 技术结合了 RAM 的高速读写和非易失性存储功能,使其成为需要频繁数据记录和高可靠性的应用的理想选择。该器件采用 48 引脚 LQFP 封装,支持 SPI 接口协议,适用于工业控制、医疗设备、数据记录仪等对可靠性要求较高的场景。
FM18X103K201PBG 提供 256KB 的存储容量,具有极低的功耗和优异的抗辐射能力。它的工作电压范围为 2.7V 至 3.6V,工作温度范围为 -40°C 至 +85°C,确保在恶劣环境下的稳定性。
存储容量:256KB
接口类型:SPI
工作电压:2.7V 至 3.6V
工作电流(读/写):3mA
待机电流:1μA
数据保存时间:超过 10 年
擦写耐久性:10^12 次
封装形式:48 引脚 LQFP
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
FM18X103K201PBG 的主要特性包括:
1. 高速读写性能:与 EEPROM 和闪存相比,FRAM 的读写速度更快,延迟更低。
2. 非易失性:即使断电,数据也能保存,无需额外的电池供电。
3. 极高的擦写次数:可承受高达 10^12 次的擦写循环,适合频繁更新数据的应用。
4. 超低功耗:待机模式下功耗仅为 1μA,有助于延长电池寿命。
5. 抗辐射能力强:能够在高辐射环境下正常运行,特别适合航空航天和医疗设备领域。
6. 宽工作温度范围:支持从 -40°C 到 +85°C 的工业级温度范围,适应各种极端环境。
FM18X103K201PBG 适用于以下应用场景:
1. 工业自动化:用于数据日志记录、配置参数存储等。
2. 医疗设备:如便携式监护仪、血糖仪等,需要频繁记录患者数据。
3. 计量仪表:例如智能电表、水表和气表中的数据存储。
4. 数据记录仪:如黑匣子、事件记录仪等,需要高可靠性和快速存储。
5. 消费电子:用于固态硬盘缓存、打印机墨盒计数等。
6. 航空航天:由于其抗辐射能力,适合卫星和航天器的数据存储系统。
FM18LH103H, MB85RC256V, CY15B104Q