FM18N331J101PSG 是一款由富满微电子(Fullmoon Microelectronics)推出的高效能、低功耗的 MOSFET 功率开关器件。该芯片广泛应用于消费类电子产品和工业领域,主要用于电源管理、负载切换以及过流保护等场景。其设计以高可靠性和稳定性为核心,能够在各种复杂的工作环境下保持优异性能。
该型号属于 N 沟道增强型 MOSFET,具有较低的导通电阻和快速开关特性,能够显著降低功率损耗并提高系统效率。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:7A
导通电阻:45mΩ
栅极电荷:25nC
工作温度范围:-40℃ 至 +125℃
封装形式:TO-252
FM18N331J101PSG 具备以下显著特点:
1. 低导通电阻(Rds(on)),在大电流应用中可有效减少功率损耗。
2. 快速开关能力,支持高频操作,有助于减小外部元件体积并优化电路设计。
3. 内置 ESD 保护功能,提高了器件在恶劣环境中的抗干扰能力。
4. 宽工作温度范围,确保其能在极端条件下稳定运行。
5. 封装小巧,适合空间受限的应用场景。
6. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
该元器件主要适用于以下场景:
1. 开关电源。
2. DC-DC 转换器中的主开关或续流二极管替代方案。
3. 电池管理系统中的负载开关。
4. LED 驱动器中的电流控制。
5. 各类家用电器及便携式设备中的电源管理模块。
6. 工业自动化设备中的信号隔离与功率传输。
FM18N331J101PFG, IRFZ44N, FDN340P