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FM15N101J101PNG 发布时间 时间:2025/7/1 9:35:07 查看 阅读:11

FM15N101J101PNG 是一款基于氮化镓(GaN)技术的增强型高电子迁移率晶体管(HEMT)。该器件采用先进的 GaN-on-Silicon 工艺,提供卓越的开关性能和高频特性。其设计适用于高效能电源转换、DC-DC 转换器、快速充电器以及其他高频功率应用。
  FM15N101J101PNG 的封装形式为 PNG,具备低寄生电感和优异的散热性能,能够满足高功率密度需求的应用场景。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:15A
  导通电阻:8mΩ(典型值)
  栅极阈值电压:2.5V~4.5V
  输入电容:960pF(典型值)
  反向恢复电荷:无(由于是 GaN 器件)
  工作温度范围:-55℃~+150℃

特性

FM15N101J101PNG 具有以下显著特点:
  1. 高开关频率支持,适合高频功率转换应用。
  2. 极低的导通电阻,有助于减少导通损耗。
  3. 无反向恢复电荷,提升了效率并降低了电磁干扰。
  4. 栅极驱动兼容传统 MOSFET,易于集成到现有设计中。
  5. 强大的热性能,确保在高温环境下的稳定运行。
  6. 小巧的 PNG 封装形式,节省 PCB 空间。

应用

该器件广泛应用于以下领域:
  1. 消费类电子产品中的快充适配器。
  2. 高效 DC-DC 转换器。
  3. 服务器及通信设备的电源模块。
  4. 工业自动化设备中的高频逆变器。
  5. 新能源汽车的车载充电机和其他电力电子系统。
  6. 其他需要高性能功率转换的应用场景。

替代型号

FM15N100L101PNG
  GMH10015T1B
  GAN063-650WSB

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