时间：2025/7/1 9:35:07
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FM15N101J101PNG 是一款基于氮化镓（GaN）技术的增强型高电子迁移率晶体管（HEMT）。该器件采用先进的 GaN-on-Silicon 工艺，提供卓越的开关性能和高频特性。其设计适用于高效能电源转换、DC-DC 转换器、快速充电器以及其他高频功率应用。
FM15N101J101PNG 的封装形式为 PNG，具备低寄生电感和优异的散热性能，能够满足高功率密度需求的应用场景。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：15A
导通电阻：8mΩ（典型值）
栅极阈值电压：2.5V～4.5V
输入电容：960pF（典型值）
反向恢复电荷：无（由于是 GaN 器件）
工作温度范围：-55℃～+150℃
FM15N101J101PNG 具有以下显著特点：
1. 高开关频率支持，适合高频功率转换应用。
2. 极低的导通电阻，有助于减少导通损耗。
3. 无反向恢复电荷，提升了效率并降低了电磁干扰。
4. 栅极驱动兼容传统 MOSFET，易于集成到现有设计中。
5. 强大的热性能，确保在高温环境下的稳定运行。
6. 小巧的 PNG 封装形式，节省 PCB 空间。
该器件广泛应用于以下领域：
1. 消费类电子产品中的快充适配器。
2. 高效 DC-DC 转换器。
3. 服务器及通信设备的电源模块。
4. 工业自动化设备中的高频逆变器。
5. 新能源汽车的车载充电机和其他电力电子系统。
6. 其他需要高性能功率转换的应用场景。
FM15N100L101PNG
GMH10015T1B
GAN063-650WSB
