类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：500V
　　漏极电流（ID）：12A
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值0.38Ω（VGS=10V）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2V~4V（在ID=250μA时）
　　功率耗散（PD）：75W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

FM12N50EHF具有多个优良的电气和热性能特性，适用于多种功率电子应用。首先，其低导通电阻（RDS(on)）特性显著降低了导通状态下的功率损耗，从而提高了系统的整体效率。这对于需要长时间运行的电源设备尤为重要，例如AC-DC适配器、电源模块和开关电源（SMPS）等。
　　其次，该MOSFET具备高耐压能力，漏源电压额定值为500V，使其能够承受较大的电压波动和瞬态过压，从而提高了系统的稳定性和可靠性。这种高耐压特性在工业控制和电力电子变换器中尤为重要，有助于延长设备的使用寿命并减少故障率。
　　此外，FM12N50EHF采用TO-252（DPAK）封装，具有良好的散热性能，能够在较高功率条件下保持稳定工作。该封装形式还具有体积小巧、便于安装和焊接的特点，适用于表面贴装工艺（SMT），有利于提高生产效率和降低成本。
　　其栅极阈值电压范围为2V~4V，兼容常见的驱动电路设计，便于与微控制器、PWM控制器或驱动IC配合使用。这使得FM12N50EHF在多种应用场景中具有较高的灵活性和可集成性。
　　最后，该器件具备较高的短路耐受能力和抗过载能力，能够在极端工况下保护自身不受损坏，进一步增强了系统的安全性和鲁棒性。这些特性使得FM12N50EHF在高性能电源管理和功率控制领域中表现出色。

FM12N50EHF适用于多种功率电子系统，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、负载开关、电源适配器以及工业自动化控制系统。由于其高耐压和低导通电阻特性，该MOSFET特别适合用于高效率电源转换和管理应用，如LED照明驱动、电池充电器和电源分配系统等。此外，其良好的热稳定性和可靠性也使其成为汽车电子、智能电表和家用电器等领域的理想选择。

FQP12N50C、IRF740、STP12N50、FQA12N50