时间：2025/9/6 9:34:14
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FM1200L-W 是一款由富满电子（FM）科技生产的高性能、低功耗的同步整流功率MOSFET，常用于电源管理、DC-DC转换器、适配器及电源模块等应用中。该器件采用先进的沟槽式功率MOSFET技术制造，具有出色的导通电阻和开关性能，适用于高效率电源系统设计。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：120A（在TC=25℃）
最大漏-源电压（VDS）：150V
最大栅-源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为4.5mΩ（在VGS=10V）
封装类型：TO-263（D2PAK）
工作温度范围：-55℃至175℃
功耗（PD）：200W
FM1200L-W 具有极低的导通电阻（RDS(on)），有助于降低导通损耗并提高电源转换效率。其高电流承载能力使其适用于高功率密度设计。该器件的栅极驱动电压范围宽，兼容标准逻辑电平驱动，方便与各种控制器或驱动IC配合使用。此外，FM1200L-W具备良好的热稳定性和高温工作能力，适用于工业级和车载级应用环境。其TO-263封装形式不仅提供了良好的散热性能，还便于PCB布局和自动化生产。
该MOSFET广泛应用于各类电源系统中，如AC-DC适配器、DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器以及工业自动化设备中的功率控制模块。其高效率和高可靠性的特点使其成为服务器电源、通信设备电源、电动车充电器及储能系统中常用的功率器件。
SiR120DP、AON6514、FDMS86101、IPB120N15N3G1
