类型：双通道肖特基二极管
　　最大重复反向电压（VRRM）：30 V
　　最大平均整流电流（IO）：1 A（每通道）
　　峰值浪涌电流（IFSM）：15 A
　　最大正向压降（VF）：450 mV（在1 A条件下）
　　最大反向漏电流（IR）：0.1 mA（在25°C时）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +150°C
　　封装类型：PowerDFN2x2 (SC-110)
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　引脚数量：6
　　热阻（RθJA）：约83 K/W
　　热阻（RθJC）：约10 K/W

FLU10ZM的核心特性之一是其低正向导通压降，典型值仅为450mV，在1A电流下显著低于传统PN结二极管，从而大幅降低导通损耗，提高系统能效。这一特性使其非常适合用于电池供电设备中的电源路径管理，有助于延长续航时间。
　　另一个关键优势是其快速的开关响应能力。由于肖特基二极管基于金属-半导体结而非P-N结，因此不存在少数载流子存储效应，反向恢复时间几乎可以忽略不计。这种准瞬态开关行为有效减少了开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI），特别有利于高频DC-DC变换器和同步整流拓扑结构中的性能优化。
　　该器件采用PowerDFN2x2封装，具有优异的散热性能。底部暴露焊盘设计增强了从芯片到PCB的热传导效率，使器件即使在较高负载条件下也能保持较低的工作温度，提升长期运行稳定性。同时，小尺寸（2mm x 2mm）和薄型化特点满足了现代消费类电子产品对轻薄化和高密度组装的需求。
　　FLU10ZM还具备良好的反向击穿耐受能力和温度稳定性。在高温环境下，其反向漏电流增长相对缓慢，确保在恶劣工况下的可靠运行。此外，双通道独立配置提供了灵活的电路设计选项，可用于并联扩流或构建全波整流桥等多种拓扑结构。
　　该产品通过AEC-Q101车规级认证，表明其具备足够的可靠性用于汽车电子系统，如车载信息娱乐设备、LED照明模块或车身控制单元中的电源管理部分。综合来看，FLU10ZM凭借其高效、紧凑和可靠的特性，成为众多中低压功率应用的理想选择。

FLU10ZM广泛应用于需要高效率和小尺寸解决方案的各类电子系统中。在移动消费电子领域，常用于智能手机和平板电脑的电池充电管理电路中，作为防止反向电流流动的隔离二极管，保障电池安全。其低VF特性有助于减少待机功耗，提升整体能效表现。
　　在便携式医疗设备、无线传感器节点和可穿戴装置中，FLU10ZM被用于电源多路选择电路，实现主电源与备用电池之间的无缝切换。由于这些设备通常依赖有限的能量供应，因此使用低损耗二极管对于最大化能源利用率至关重要。
　　在通信模块和网络设备中，该器件可用于隔离不同电压域的电源轨，防止相互干扰。例如，在PoE（以太网供电）应用中，FLU10ZM可作为后级整流或防倒灌元件，配合DC-DC转换器工作，提升系统效率。
　　工业控制系统和智能家居设备中的微控制器单元（MCU）供电部分也常集成此类肖特基二极管，用于构建冗余电源架构或进行电压钳位保护。此外，在LED驱动电路中，FLU10ZM可用于防止电流回流，保护驱动芯片免受损坏。
　　得益于其通过AEC-Q101认证，FLU10ZM同样适用于汽车电子应用，包括车载导航系统、仪表盘显示模块、车内照明控制电路等。其稳定的温度性能和抗振动能力使其能在复杂的车载环境中长期可靠运行。

FSLD10H-M, FSLD10HM3X, SB1030, PMEG3010EH