类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：200 V
　　栅源电压（VGS）：±20 V
　　漏极电流（ID）：160 A（Tc）
　　导通电阻（RDS(on)）：0.015 Ω（最大值）
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：TO-220AB
　　功率耗散（PD）：300 W

FLNR200ID 的主要特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)），这有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。该器件的高电流能力使其适用于需要大功率处理能力的场合。
　　此外，FLNR200ID 具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行。其坚固的封装设计（TO-220AB）提供了良好的散热性能，使得该 MOSFET 在高功率应用中依然保持可靠。
　　该器件的栅极驱动要求较低，能够在较宽的栅极电压范围内稳定工作，这使得它适用于多种驱动电路设计。FLNR200ID 还具备快速开关能力，降低了开关损耗，使其在高频应用中表现优异。
　　从可靠性角度来看，FLNR200ID 经过了严格的测试和验证，能够在恶劣的工作条件下保持长期稳定性。

FLNR200ID 广泛应用于多种高功率电子设备中。在电源管理系统中，它可以用于 DC-DC 转换器和同步整流器，提供高效率的电压转换方案。
　　在电机控制应用中，FLNR200ID 可用于 H 桥驱动电路，实现对直流电机或步进电机的高效控制。由于其高电流能力和低导通电阻，特别适合需要频繁启停或调速的场合。
　　此外，该器件也常用于电池管理系统（BMS），例如电动汽车（EV）或混合动力汽车（HEV）中的电池充放电控制电路。它还可以用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）以及工业自动化控制系统中。
　　FLNR200ID 还适用于负载开关和电源分配系统，能够在需要高可靠性和高效率的场合中提供稳定的性能。

STP150N20D2AG4-LL, FDPF20N20SM, IRFP260N