FL5S010HT3R3800 是一款由富士电机(Fuji Electric)制造的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)功率半导体器件。该器件专为高功率应用设计,适用于需要高效能、高可靠性的电力电子系统,例如变频器、电机驱动器、不间断电源(UPS)和可再生能源系统。FL5S010HT3R3800 采用了先进的硅芯片技术,提供了较低的导通压降和开关损耗,同时具备良好的热性能和机械稳定性。
类型:IGBT模块
额定集电极-发射极电压(VCES):1200V
额定集电极电流(IC):10A
最大工作温度:150°C
封装类型:TO-247
短路耐受能力:有
栅极驱动电压:±15V(典型)
导通压降(VCE_sat):约1.5V(典型值)
开关损耗(Eon/Eoff):约0.6mJ/0.8mJ(典型值)
FL5S010HT3R3800 具备多项优异的电气和热性能特性,适用于高功率密度和高效能的电力电子系统。首先,该器件的额定集电极-发射极电压为1200V,集电极电流为10A,使其能够承受高电压和高电流应力,适用于中高功率应用。其次,其导通压降较低,典型值约为1.5V,这有助于降低导通损耗,提高整体系统效率。
此外,该IGBT模块具备较低的开关损耗,Eon和Eoff分别为约0.6mJ和0.8mJ,这在高频开关应用中尤为重要,能够减少发热并提高系统效率。FL5S010HT3R3800 还具有良好的短路耐受能力,能够在极端条件下保持稳定运行,提高系统的可靠性。
该器件的封装形式为TO-247,具备良好的散热性能和机械稳定性,适合在各种环境条件下使用。此外,其最大工作温度可达150°C,表明其在高温环境下仍能保持良好的性能和可靠性。
最后,该IGBT模块采用了先进的硅芯片技术,确保了器件在高电压和大电流条件下的稳定性和耐用性。这些特性使得FL5S010HT3R3800 成为工业自动化、电机驱动、UPS系统以及可再生能源系统等应用中的理想选择。
FL5S010HT3R3800 主要应用于需要高功率密度、高效率和高可靠性的电力电子系统。常见的应用包括工业变频器、电机驱动器、不间断电源(UPS)、可再生能源系统(如太阳能逆变器)、电动汽车充电设备以及电力调节装置。该器件的高电压和大电流承受能力,使其适用于中高功率等级的工业控制和能源转换系统。
FS5S10H60AY