FL014N是一款高性能的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等电力电子领域。该器件采用先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和快速的开关特性,能够有效降低功耗并提升系统效率。
最大漏源电压:150V
最大连续漏电流:14A
导通电阻:80mΩ
栅极电荷:25nC
开关速度:超快
工作温度范围:-55℃至175℃
FL014N具有低导通电阻和低栅极电荷的特点,这使得它在高频应用中表现出色。此外,其高雪崩能量能力增强了器件的鲁棒性,能够在异常条件下提供更高的可靠性。同时,该器件封装小巧,便于设计人员优化PCB布局。
主要特点包括:
1. 极低的导通电阻,减少传导损耗。
2. 快速的开关速度,适合高频开关应用。
3. 高雪崩能量能力,增强系统可靠性。
4. 小型化封装,节省空间。
FL014N适用于多种电力电子场景,例如开关电源适配器、消费类电子产品的电源管理模块、LED驱动电路、电机驱动控制器以及电池管理系统。由于其出色的性能和可靠性,这款MOSFET特别适合需要高效能和高稳定性的应用环境。
FQP14N15, IRFZ44N