时间：2025/12/26 20:14:16
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FKV550N是一款由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体，现为onsemi的一部分）生产的N沟道功率MOSFET晶体管。该器件专为高效率、高频率开关应用而设计，广泛应用于电源管理领域，如开关模式电源（SMPS）、DC-DC转换器、照明镇流器以及电机驱动等场景。FKV550N采用先进的平面条纹式场效应技术制造，具备优良的导通电阻与栅极电荷平衡特性，能够在保证低功耗的同时实现快速开关响应。其封装形式为TO-220F，具有良好的热性能和机械稳定性，适合通孔安装方式，在工业级温度范围内稳定工作。这款MOSFET在设计上优化了雪崩能量耐受能力，提高了系统在异常工况下的可靠性。此外，FKV550N符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，适用于对环境要求较高的电子产品中。由于其出色的电气特性和成本效益，FKV550N成为许多中等功率电源设计中的首选器件之一。
型号：FKV550N
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(VDSS)：550V
连续漏极电流(ID)：7A @ 25°C
脉冲漏极电流(IDM)：28A
导通电阻(RDS(on))：0.45Ω @ VGS=10V
栅极阈值电压(VGS(th))：3V ~ 5V
栅极电荷(Qg)：39nC @ 10V
输入电容(Ciss)：1100pF @ 25V
反向恢复时间(trr)：55ns
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装/包装：TO-220F
功率耗散(PD)：125W
FKV550N作为一款高性能N沟道MOSFET，具备多项关键特性以满足现代电源系统的严苛需求。首先，其高达550V的漏源击穿电压使其适用于宽范围的高压应用场合，例如离线式AC-DC电源和高侧开关电路中，能够承受瞬态过压冲击而不损坏。
其次，该器件在导通状态下表现出较低的RDS(on)值（典型值0.45Ω），这显著降低了导通损耗，提升了整体能效，尤其在持续负载条件下优势明显。结合7A的连续漏极电流能力，FKV550N可在中等功率级别下提供稳定的电流传输能力，避免因过热导致的性能下降或失效。
再者，FKV550N的栅极电荷Qg仅为39nC，这一低输入电容特性有助于减少驱动电路的能量消耗，并支持更高的开关频率操作，从而允许使用更小体积的外围滤波元件，缩小整体电源尺寸。同时，其反向恢复时间trr控制在55ns以内，有效抑制了体二极管反向恢复过程中引起的电压尖峰和电磁干扰（EMI），提升了系统在硬开关拓扑中的可靠性。
此外，该器件采用了坚固的平面工艺结构，增强了器件的雪崩耐量和长期运行稳定性。即使在突发短路或电感负载断开等极端情况下，也能提供一定程度的自我保护能力。TO-220F封装不仅提供了良好的散热路径，还通过绝缘法兰设计实现了电气隔离，便于直接安装在散热片上而无需额外绝缘垫片，简化了热管理设计。综合来看，FKV550N在性能、可靠性和性价比之间实现了良好平衡，是工业电源、消费电子和照明控制等领域中极具竞争力的选择。
FKV550N广泛应用于各类需要高效高压开关功能的电力电子系统中。常见用途包括开关模式电源（SMPS），尤其是在反激式（Flyback）和正激式（Forward）拓扑结构中作为主开关管使用；也适用于DC-DC升压或降压转换器中，特别是在输入电压较高的场景下发挥其高耐压优势。此外，该器件可用于电子镇流器、LED驱动电源、充电器适配器、UPS不间断电源以及小型逆变器设备中。由于其良好的热性能和电气特性，也常被用于工业控制领域的电机驱动模块或继电器替代方案中，实现固态开关控制。
KSC550N
