型号：FK14KM-9
　　极性：N沟道
　　最大漏源电压（VDS）：900V
　　最大连续漏极电流（ID）：1.4A（@25°C）
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：5.6A
　　最大栅源电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值7.0Ω（@VGS=10V, ID=0.7A）
　　阈值电压（VGS(th)）：典型值3.0V（@ID=250μA）
　　栅极电荷（Qg）：典型值28nC（@VDS=800V, ID=1.4A）
　　输入电容（Ciss）：典型值550pF（@VDS=25V）
　　输出电容（Coss）：典型值110pF（@VDS=25V）
　　反向恢复时间（trr）：无（非超快恢复型）
　　功耗（PD）：50W（@Tc=25°C）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220F
　　是否绝缘：是（带绝缘片安装）

FK14KM-9采用高性能平面MOSFET技术，具备出色的高压耐受能力和稳定的开关特性。其最大漏源电压可达900V，适用于高电压输入环境下的开关应用，如AC-DC电源、离线式适配器和LED驱动电源。器件的低导通电阻（RDS(on)）有效降低了导通损耗，提高整体能效，尤其在轻载和中等负载条件下表现优异。得益于优化的晶圆设计，该MOSFET具有较低的栅极电荷（Qg），有助于减少驱动电路的功耗并提升开关频率，从而支持更小型化的磁性元件设计。
　　该器件的热稳定性良好，封装采用TO-220F形式，底部带有绝缘垫片，便于安装在散热器上同时实现电气隔离，适用于对安全要求较高的工业和家用电器电源系统。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）确保了在高温或低温环境下仍能稳定运行。此外，器件具备较强的雪崩能量承受能力，能够在瞬态过压或感性负载切换过程中保持可靠工作，增强了系统的鲁棒性。
　　FK14KM-9还具有良好的抗dv/dt能力，减少了误触发的可能性，提升了在高频开关环境中的稳定性。其栅源电压容限高达±30V，提供了足够的驱动裕量，避免因栅极过压导致器件损坏。体二极管的存在使得在电机控制或继电器驱动等应用中无需外接续流二极管，简化了PCB布局并降低成本。综合来看，FK14KM-9是一款兼顾高耐压、低损耗和高可靠性的功率MOSFET，特别适合用于中等功率开关电源和工业控制领域。

FK14KM-9主要应用于各类需要高电压、中等电流开关控制的电力电子系统中。常见用途包括离线式反激变换器（Flyback Converter），用于笔记本电脑适配器、电视电源、LED照明驱动电源等设备中作为主开关管。其900V的耐压能力能够轻松应对全球交流电网波动，特别是在110V/220V通用输入条件下提供充足的安全裕度。在DC-DC转换器中，该器件可用于升压（Boost）或半桥拓扑结构，实现高效能量转换。
　　此外，FK14KM-9也适用于电机驱动电路，例如小功率风扇、水泵或家用电器中的电机控制模块。其快速开关特性和集成体二极管有助于实现精确的PWM调速控制，并在电机停转时提供可靠的续流路径。在工业自动化系统中，它可被用作固态继电器或负载开关，替代传统机械继电器，提升响应速度和寿命。
　　由于其绝缘封装设计，该器件也常用于需要加强电气隔离的安全认证产品中，如医疗设备电源、智能家居控制模块等。在太阳能逆变器或UPS不间断电源系统中，FK14KM-9可用于辅助电源或预充电路，确保主系统稳定启动。总体而言，其高可靠性、良好热性能和易于驱动的特性，使其成为多种中高压开关应用中的优选器件。

K14J, 2SK14J, FQP9N90C, STP1N90, 1N90, 2N90