类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极-源极电压（VDS）：700V
　　最大栅极-源极电压（VGS）：±30V
　　最大漏极电流（ID）：8A（在25°C时）
　　导通电阻（RDS(on)）：约1.5Ω（最大值）
　　耗散功率（PD）：50W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220
　　工艺技术：平面工艺

FJP13009-1 采用先进的平面工艺制造，具有出色的电气性能和可靠性。其高耐压能力使其非常适合用于700V以下的高压应用场合。器件的导通电阻较低，有助于降低导通损耗，提高电源转换效率。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，适用于对可靠性要求较高的工业控制和电源设备。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，兼容常见的10V或12V驱动电路，便于设计和使用。同时，FJP13009-1 具有较快的开关速度，有助于减少开关损耗，提高系统效率。其封装形式为TO-220，具有良好的散热性能，便于安装和使用在各种电源模块中。
　　该MOSFET还具备一定的抗雪崩能力，能够在异常工况下提供一定程度的保护，增强系统的稳定性。同时，其结构设计优化了电磁干扰（EMI）特性，有助于降低系统的EMI噪声，提升整体电磁兼容性。

FJP13009-1 主要应用于各类电源转换设备中，如开关电源（SMPS）、LED照明驱动器、适配器、充电器、电机控制电路以及节能灯具等。由于其高耐压和良好的热稳定性，该器件也常用于工业控制设备、家用电器以及消费类电子产品中的功率开关部分。

KSC13009-1, MJE13009, FJP13009, KSC13009