时间：2025/12/29 15:20:35
阅读：10
FJN4303R是一款由富士通半导体（Fujitsu Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关应用。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，适用于电源转换器、电机控制、DC-DC转换器和负载开关等场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：120A（在Tc=25°C时）
最大漏源电压（VDS）：30V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：最大值4.3mΩ（在VGS=10V时）
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装类型：TO-247
最大功耗（PD）：200W
FJN4303R采用了富士通先进的功率MOSFET制造技术，具备低导通电阻，可显著降低功率损耗并提高系统效率。其TO-247封装形式提供了良好的散热性能，适用于高电流和高温环境下的稳定运行。该器件还具备优异的抗雪崩能力和高可靠性设计，能够在高应力条件下保持稳定工作。
此外，FJN4303R的栅极驱动电压范围较宽，支持快速开关操作，从而减少了开关损耗，适用于高频开关应用。该器件的热阻较低，有助于提升整体系统的热管理能力，延长使用寿命。
FJN4303R广泛应用于各类高功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、工业自动化控制系统以及电动车充电模块等。由于其高耐流能力和低导通电阻特性，该器件特别适合需要高效能和高可靠性的电力电子系统。
FDPF4303R, IRF1404Z, SiR142DP
