FJN3314R 时间：2025/8/24 8:55:17 阅读：8

FJN3314R是一款由富士通（Fujitsu）推出的N沟道增强型功率MOSFET，适用于高效率电源转换器和功率放大器等应用。该器件采用高性能硅技术，具备低导通电阻和优异的热稳定性，能够在高电流和高电压环境下稳定工作。FJN3314R通常用于DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动和负载开关等场景，是一款在工业和消费类电子产品中广泛应用的功率MOSFET。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：60A
　　导通电阻（Rds(on)）：≤4.5mΩ（在Vgs=10V时）
　　功耗（Pd）：125W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：TO-220AB

特性

FJN3314R具有多项优异的电气和热性能。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流条件下的低功耗和高效能，这对于高效率电源设计至关重要。其次，该MOSFET具有高耐压能力，漏源电压最大可达30V，能够在较宽的电压范围内稳定运行。
　　此外，FJN3314R采用TO-220AB封装，具有良好的散热性能，能够在高功耗应用中有效降低温升，提高系统的可靠性和寿命。该器件的栅极驱动电压范围宽，支持常见的10V或12V驱动电路，兼容多种控制方案。
　　其高电流承载能力（60A）使其适用于高功率密度设计，如服务器电源、电池管理系统（BMS）、电动工具和工业电机驱动等应用。同时，FJN3314R具有良好的抗雪崩能力和抗过载能力，能够在严苛的工作条件下提供稳定的性能。
　　最后，该MOSFET具备快速开关特性，可减少开关损耗，提升整体系统的能效。这些特性使其成为高要求功率应用的理想选择。

应用

FJN3314R广泛应用于各类功率电子系统中，尤其适合高效率电源转换和大电流负载控制。其主要应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流电路、负载开关、电池管理系统（BMS）、电动工具控制器、工业电机驱动、电源管理模块以及LED照明驱动电路等。在服务器电源、通信设备电源、便携式储能设备和智能家电等领域，FJN3314R都能提供高效、可靠的功率控制解决方案。