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FJA4210-O 发布时间 时间:2025/8/25 2:23:29 查看 阅读:16

FJA4210-O是一款由东芝(Toshiba)生产的N沟道功率MOSFET,专为高效率功率转换应用而设计。该器件采用了先进的U-MOS技术,具有低导通电阻(RDS(on))和高耐压能力,适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等多种应用场景。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):100V
  栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):75A
  脉冲漏极电流(IDM):300A
  导通电阻(RDS(on)):最大值10.5mΩ @ VGS=10V
  功耗(PD):200W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:TO-247

特性

FJA4210-O的主要特性之一是其极低的导通电阻,有助于降低导通损耗,提高系统效率。
  该器件的高耐压能力(100V)使其适用于多种中高功率应用,如电源供应器、DC-DC转换器和电机驱动器。
  其封装采用TO-247形式,具有良好的热管理和散热性能,适用于高电流工作环境。
  此外,FJA4210-O具备高雪崩能量耐受能力,增强了器件在突发负载或开关瞬态情况下的可靠性。
  由于其快速开关特性,该MOSFET在高频开关应用中表现优异,有助于减小外部滤波元件的尺寸并提升系统集成度。
  该器件还具备良好的热稳定性,能够在高温环境下稳定运行。

应用

FJA4210-O广泛应用于各类电源管理系统,包括AC-DC电源、DC-DC转换器和同步整流电路。
  在电机控制和工业自动化系统中,该MOSFET用于高效率的功率开关和负载管理。
  其高电流承载能力使其适用于大功率LED驱动和电池充电系统。
  此外,该器件也常用于电动车、储能系统和太阳能逆变器中的功率转换模块。
  由于其良好的热性能和可靠性,FJA4210-O也适用于需要高稳定性的工业级和车载级应用。

替代型号

FJP4210, FDBL8030L, IRF3710, SiR862ADP

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