FIR60N10G 时间：2025/8/7 5:03:56 阅读：37

FIR60N10G是一款高性能的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）制造。该器件设计用于高效率、高功率密度的应用场景，例如电源转换器、马达控制、开关电源（SMPS）和电池管理系统等。FIR60N10G的额定电压为100V，最大连续漏极电流可达60A，适合需要高电流和低导通损耗的功率应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：60A @25℃
　　功耗（Pd）：200W
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值约0.017Ω @Vgs=10V
　　工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
　　封装类型：TO-220

特性

FIR60N10G具有多项优异特性，包括低导通电阻（Rds(on)），可显著减少导通损耗，提高系统效率。其高电流处理能力（60A）使其能够胜任大功率应用场景。此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持±20V，提高了设计的灵活性。TO-220封装提供了良好的热性能，便于散热，确保在高功率操作下的可靠性。FIR60N10G还具有优异的抗雪崩击穿能力，确保在瞬态高电压情况下依然稳定运行。此外，其快速开关特性减少了开关损耗，进一步提升了整体能效。
　　这款MOSFET的结构设计优化了电场分布，降低了导通损耗和开关损耗之间的平衡，使得它在高频开关应用中表现出色。同时，该器件具备较高的热稳定性，能够在较高的工作温度下保持性能稳定，适用于苛刻的工作环境。由于其卓越的性能指标，FIR60N10G被广泛用于DC-DC转换器、同步整流器、逆变器、马达驱动器以及各种高功率电子系统。

应用

FIR60N10G主要应用于需要高效率和高功率密度的电子设备中。它广泛用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制模块、电池管理系统、逆变器和UPS（不间断电源）等电源管理领域。此外，该器件也适用于工业自动化设备、电动车电源系统、太阳能逆变器以及高性能计算机电源等高功率应用。由于其优异的导通和开关性能，FIR60N10G也常用于同步整流电路中，以提升整流效率并减少发热。在汽车电子系统中，该器件可用于车载充电器、电动助力转向系统以及各种车载电源转换装置。