类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极-源极电压(Vds)：600V
　　最大栅极-源极电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：5A（在Tc=100℃）
　　功耗(Pd)：50W
　　导通电阻(Rds(on))：≤1.9Ω（在Vgs=10V时）
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：TO-263（D2Pak）

FIR5N60APG具备多项优异特性，使其在功率MOSFET领域表现出色。
　　首先，该MOSFET的最大漏极-源极电压为600V，能够承受较高的电压应力，适用于中高压功率转换应用。其N沟道结构设计有助于实现快速开关，减少开关损耗。
　　其次，FIR5N60APG的导通电阻Rds(on)在Vgs=10V条件下最大为1.9Ω，较低的导通电阻意味着在导通状态下功耗更小，从而提高了系统的整体效率。此外，该器件的最大连续漏极电流为5A，在适当的散热条件下可满足多种功率应用的需求。
　　该MOSFET采用TO-263（D2Pak）封装，具有良好的热管理和散热能力，能够适应高温环境下的工作条件。封装形式支持表面贴装工艺，有利于提高PCB布局的紧凑性和可靠性。
　　此外，FIR5N60APG的栅极-源极电压容限为±20V，提供了更高的驱动灵活性和可靠性，避免因栅极电压波动导致的损坏。其工作温度范围为-55℃至+150℃，适用于较为严苛的工业环境。
　　综合来看，FIR5N60APG凭借其高耐压、低导通电阻、优良的热性能和封装优势，成为各类功率电子设备中的理想选择。

FIR5N60APG广泛应用于多个功率电子领域。在电源管理系统中，它常用于AC-DC转换器、DC-DC转换器以及功率因数校正（PFC）电路，以提高能量转换效率并减少发热。在电机控制方面，该MOSFET可用于驱动直流电机或无刷直流电机（BLDC），实现高效、快速的开关控制。此外，它还可用于各种负载开关应用，如LED驱动器、继电器替代方案以及智能电源插座等设备。FIR5N60APG也适用于工业自动化设备中的电源管理模块，例如可编程逻辑控制器（PLC）、变频器和伺服驱动器等。由于其优异的热管理和高可靠性，该器件在高可靠性要求的环境中表现出色，例如汽车电子、通信电源、太阳能逆变器和不间断电源（UPS）系统。

IRF5N60APG, FQP5N60C, STF5N60DM2, IRF5N60CFD1