时间：2025/12/29 14:29:39
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FIR4N65LG 是一款由 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，具有高耐压、低导通电阻和高效率的特点。该器件广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、负载开关以及电机控制等功率电子系统中。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压 Vds：650 V
漏极电流 Id：4 A
导通电阻 Rds(on)：2.5 Ω（最大）
栅极阈值电压 Vgs(th)：2~4 V
功耗 PD：50 W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220、DPAK（表面贴装）等
FIR4N65LG 的主要特性包括其高耐压能力（650V），使其适用于高压应用环境，如电源适配器和工业控制系统。该器件具有较低的导通电阻，在 4A 电流下可实现较低的导通损耗，从而提高系统的整体效率。此外，FIR4N65LG 还具备良好的热稳定性和抗冲击能力，能够承受较高的瞬态电流。
该 MOSFET 提供了 TO-220 和 DPAK 两种封装形式，适用于不同的 PCB 设计需求。TO-220 封装适合需要良好散热性能的应用，而 DPAK 则适用于表面贴装工艺，节省空间且便于自动化生产。
另外，FIR4N65LG 的栅极驱动电压范围较宽（2~4V），使其可以与多种控制器和驱动器兼容，提高了设计的灵活性。其热阻较低，有助于在高负载条件下维持稳定的运行状态。
FIR4N65LG 主要用于各种功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、AC-DC 电源适配器、LED 照明驱动、电机控制电路、负载开关和电池管理系统等。在这些应用中，该器件可作为主开关或同步整流器使用，提供高效的能量转换和良好的热管理性能。
由于其高耐压和良好的导通特性，FIR4N65LG 特别适合用于需要高压隔离和高效率的工业控制设备。此外，在电动车、智能电表和家电控制系统中也常见其身影。
FQA4N65C、FQP4N65、IRF840、STP4NK65Z
