时间：2025/12/26 21:04:12
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FIR3N80LG是一款由Fairchild Semiconductor（现为onsemi的一部分）生产的N沟道功率MOSFET。该器件专为高效率电源转换应用设计，具备优良的导通电阻和开关特性，适用于多种电力电子场景。FIR3N80LG采用先进的平面场效应晶体管技术制造，能够在高电压环境下稳定工作，并提供良好的热稳定性与可靠性。此MOSFET封装在TO-220F或类似形式的封装中，便于安装于散热器上以增强散热性能，适合在需要持续大电流处理能力的应用中使用。其主要目标市场包括开关电源（SMPS）、DC-DC变换器、电机驱动电路以及各种工业控制设备中的功率开关环节。由于其具备较高的击穿电压额定值，FIR3N80LG也可用于交流适配器、照明镇流器和其他要求耐高压的场合。此外，该器件还优化了栅极电荷特性，有助于降低开关损耗，从而提升整体系统效率。在设计时考虑到了电磁兼容性（EMC）表现，减少了对外部滤波元件的需求。总体而言，FIR3N80LG是一款高性能、可靠的高压MOSFET解决方案，适用于广泛的标准电源拓扑结构，如反激式、正激式及LLC谐振转换器等。
型号：FIR3N80LG
制造商：onsemi（原Fairchild Semiconductor）
器件类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：800 V
最大连续漏极电流（ID）：3 A（@TC=25°C）
最大脉冲漏极电流（IDM）：12 A
最大功耗（PD）：50 W
导通电阻（RDS(on)）：典型值约2.2 Ω（@VGS=10V, ID=1.5A）
阈值电压（VGS(th)）：典型值3~5 V（@ID=250μA）
栅极电荷（Qg）：典型值约45 nC（@VDS=700V, ID=3A, VGS=10V）
输入电容（Ciss）：典型值约1100 pF（@VDS=25V, f=1MHz）
输出电容（Coss）：典型值约40 pF
反向恢复时间（trr）：无体二极管或极快恢复特性
工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-220F（绝缘型）
FIR3N80LG具备出色的高压阻断能力，其800V的漏源击穿电压使其适用于全球通用输入电压范围内的开关电源设计，尤其是在离线式AC-DC转换器中表现出色。该器件采用了优化的平面工艺技术，在保证高耐压的同时实现了较低的单位面积导通电阻，从而有效降低了导通损耗，提高了系统的整体能效。其RDS(on)典型值约为2.2Ω，在同类800V N沟道MOSFET中处于较为先进水平，特别适合中低功率等级下的长期运行。
在动态性能方面，FIR3N80LG具有较低的栅极电荷（Qg），典型值为45nC左右，这直接减少了驱动电路所需的能量，同时加快了开关速度，有助于减小开关过程中的交越损耗。结合相对较小的输入和输出电容，该器件能够在高频工作条件下保持良好的响应特性，适用于高达数百kHz的PWM控制应用。此外，其体二极管经过特殊设计，具备较快的反向恢复特性，可减少因反向恢复引起的尖峰电压和电磁干扰问题，提升了系统在硬开关拓扑中的鲁棒性。
热管理方面，FIR3N80LG采用TO-220F封装，底部带有绝缘片，允许直接固定在接地散热器上而无需额外绝缘垫圈，简化了机械装配流程并增强了散热效率。该器件的最大功耗可达50W，在充分散热条件下能够稳定承载较大负载电流。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）确保了在极端环境温度下仍能可靠运行，适用于工业级和消费类电源产品。同时，器件符合RoHS环保标准，不含铅和有害物质，满足现代电子产品对绿色制造的要求。
FIR3N80LG广泛应用于各类中高电压开关电源系统中，特别是在离线式反激转换器中作为主开关器件使用，常见于电视机、显示器、路由器、机顶盒等家用电器的内置电源模块。它也适用于通用交流适配器和充电器设计，支持宽范围输入电压（90VAC~265VAC），可在单端反激或双管正激拓扑中实现高效能量传递。此外，在LED照明驱动电源中，该MOSFET可用于隔离型恒流源方案，提供稳定的输出控制和良好的调光兼容性。
在工业领域，FIR3N80LG被用于小型UPS不间断电源、工业传感器供电单元、PLC电源模块以及电机控制电路中的辅助电源部分。由于其具备较高的抗雪崩能力和过压裕度，也能在存在感性负载突变的环境中维持稳定工作。另外，该器件还可用于DC-DC升压或降压变换器的主开关位置，尤其在前端PFC（功率因数校正）电路中作为有源开关使用，帮助提高输入侧的功率因数并降低谐波失真。总之，FIR3N80LG凭借其高耐压、低导通损耗和良好的热性能，成为许多中等功率电源设计中的理想选择。
FQA3N80/FQA3N80C
STP3NK80ZFP
KSC3N80Y
2SK3562
