FIN1002M5X 是一款高性能的场效应晶体管(FET),专为高频开关和功率放大应用设计。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热稳定性等特性,适用于多种工业和消费类电子设备。
类型:N沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds):100V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大连续漏极电流(Id):2A
导通电阻(Rds(on)):5Ω
总功耗(Ptot):1.8W
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
FIN1002M5X 具有以下显著特点:
1. 极低的导通电阻,可有效降低功耗。
2. 高速开关能力,适合高频电路设计。
3. 出色的热稳定性和可靠性,确保在恶劣环境下正常运行。
4. 小型化封装设计,节省电路板空间。
5. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
6. 支持表面贴装技术(SMT),便于自动化生产。
该元器件广泛应用于各种电子设备中,包括但不限于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动和控制电路。
3. 消费类电子产品中的负载开关。
4. 工业自动化设备中的信号处理。
5. 高频通信系统中的功率放大模块。
6. 各种保护电路,如过流保护和短路保护。
IRFZ44N
STP16NF06
FQP17N10