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FIN1002M5X 发布时间 时间:2025/5/8 18:07:58 查看 阅读:4

FIN1002M5X 是一款高性能的场效应晶体管(FET),专为高频开关和功率放大应用设计。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热稳定性等特性,适用于多种工业和消费类电子设备。

参数

类型:N沟道 MOSFET
  最大漏源电压(Vds):100V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大连续漏极电流(Id):2A
  导通电阻(Rds(on)):5Ω
  总功耗(Ptot):1.8W
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

FIN1002M5X 具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻,可有效降低功耗。
  2. 高速开关能力,适合高频电路设计。
  3. 出色的热稳定性和可靠性,确保在恶劣环境下正常运行。
  4. 小型化封装设计,节省电路板空间。
  5. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
  6. 支持表面贴装技术(SMT),便于自动化生产。

应用

该元器件广泛应用于各种电子设备中,包括但不限于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)和 DC-DC 转换器。
  2. 电机驱动和控制电路。
  3. 消费类电子产品中的负载开关。
  4. 工业自动化设备中的信号处理。
  5. 高频通信系统中的功率放大模块。
  6. 各种保护电路,如过流保护和短路保护。

替代型号

IRFZ44N
  STP16NF06
  FQP17N10

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FIN1002M5X参数

  • 标准包装3,000
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭接口 - 驱动器,接收器,收发器
  • 系列-
  • 类型接收器
  • 驱动器/接收器数0/1
  • 规程LVDS
  • 电源电压3 V ~ 3.6 V
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-74A,SOT-753
  • 供应商设备封装SOT-23-5
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FIN1002M5X-NDFIN1002M5XTR