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FII24N17AH1S 发布时间 时间:2025/8/5 17:03:02 查看 阅读:27

FII24N17AH1S 是一款由富士电机(Fuji Electric)制造的IGBT模块,广泛用于高功率应用,如逆变器、工业电机驱动和可再生能源系统。该模块集成了IGBT芯片和反向并联二极管,提供高效的电能转换和良好的热性能。

参数

集电极-发射极电压(VCES):1700V
  额定集电极电流(IC):24A
  短路耐受电流:48A
  工作温度范围:-40°C 至 +150°C
  封装类型:模块型,绝缘底板设计
  栅极驱动电压范围:±20V
  短路耐受能力:10μs @ VCE=1500V
  最大功耗:120W

特性

FII24N17AH1S具备出色的短路耐受能力,能够在极端工况下保持稳定运行。该模块采用了先进的IGBT技术和优化的内部结构设计,提供较低的导通压降和开关损耗,从而提高了整体能效。此外,该模块具有较高的热稳定性和可靠性,适合长时间高负荷运行。
  其封装设计采用绝缘底板结构,提高了模块的机械强度和热传导效率,同时增强了模块在高温环境下的稳定性。该模块还具有良好的电磁兼容性(EMC),降低了对外部电路的干扰,确保系统运行的稳定性。
  在保护特性方面,FII24N17AH1S具备过流保护、短路保护和过热保护功能,能够有效防止异常情况下的损坏。这些特性使其非常适合用于要求高可靠性和高稳定性的工业和能源系统。

应用

FII24N17AH1S主要用于工业逆变器、UPS(不间断电源)、太阳能逆变器、电动汽车充电系统以及电机驱动系统等高功率电子设备中。由于其优异的性能和可靠性,它也适用于需要高效率和高稳定性的电力电子系统。

替代型号

FII24N17AH1S 可以用 FII24N17AS1S、FII24N17AH2S 等型号替代,具体选择应根据应用需求和电路设计要求进行评估。

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FII24N17AH1S参数

  • 标准包装25
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 阵列
  • 系列-
  • IGBT 类型NPT
  • 配置半桥
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)1700V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)6V @ 15V,16A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)18A
  • 电流 - 集电极截止(最大)100µA
  • Vce 时的输入电容 (Cies)2.4nF @ 25V
  • 功率 - 最大140W
  • 输入标准型
  • NTC 热敏电阻
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳i4-Pac?-5
  • 供应商设备封装ISOPLUS i4-PAC?