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FII24N17AH1 发布时间 时间:2025/8/6 4:42:45 查看 阅读:35

FII24N17AH1 是一款由 Fuji Electric(富士电机)制造的 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,广泛用于高功率电子设备中。该模块设计用于高效能的功率转换应用,例如逆变器、电机驱动器和可再生能源系统。

参数

集电极-发射极电压(Vce):1700V
  集电极电流(Ic):24A
  工作温度范围:-40°C 至 +150°C
  短路耐受能力:10μs @ Vce=1700V
  封装类型:模块封装
  栅极驱动电压:±15V

特性

FII24N17AH1 模块具有优异的热性能和高可靠性,适用于各种高功率应用场景。其先进的封装技术确保了良好的散热性能,同时降低了热阻。该模块采用了富士电机的高性能 IGBT 芯片,提供了低导通压降和低开关损耗的特点,从而提高了整体系统效率。
  此外,FII24N17AH1 具有良好的短路耐受能力,能够在短时间内承受较高的电流冲击而不损坏,这使其在需要高可靠性的应用中表现出色。其模块设计还考虑到了电磁干扰(EMI)的抑制,确保了在高频开关操作中的稳定性。
  该模块还具有良好的绝缘性能,能够承受高电压应力,确保在高压环境下的安全运行。同时,其坚固的结构设计使其能够在恶劣的工作环境中保持稳定性能。

应用

FII24N17AH1 主要应用于需要高功率密度和高可靠性的电力电子设备中,例如工业电机驱动器、可再生能源系统(如太阳能逆变器和风力发电变流器)、电能质量调节设备以及电动汽车充电系统。由于其优异的电气和热性能,该模块也常用于需要高效率和高可靠性的电力转换系统中。

替代型号

FII24N17AH1 可以被 FII24N17AH2、FII30N17AH1 和 FII24N17BH1 替代,但需要根据具体的应用需求进行评估和匹配。

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FII24N17AH1参数

  • 标准包装25
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 阵列
  • 系列-
  • IGBT 类型NPT
  • 配置半桥
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)1700V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)6V @ 15V,16A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)18A
  • 电流 - 集电极截止(最大)100µA
  • Vce 时的输入电容 (Cies)2.4nF @ 25V
  • 功率 - 最大140W
  • 输入标准型
  • NTC 热敏电阻
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳i4-Pac?-5
  • 供应商设备封装ISOPLUS i4-PAC?