时间：2025/5/10 16:39:57
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FI212P0829G3-T 是一款由 Fairchild（现为 ON Semiconductor）生产的功率 MOSFET 芯片，主要用于高效能开关应用。该器件采用 P-Channel 技术，具备低导通电阻和高效率的特点，适用于多种工业及消费电子领域。其封装形式为行业标准的 TO-263，能够提供出色的散热性能。
这款 MOSFET 在设计上专注于降低功耗并提高系统的整体效率，非常适合用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及其他需要高性能开关的场景。
型号：FI212P0829G3-T
类型：P-Channel MOSFET
Vds（最大漏源电压）：-20V
Rds(on)（导通电阻）：45mΩ（典型值，在 Vgs=-4.5V 时）
Id（持续漏极电流）：-20A
Pd（总功耗）：117W
封装：TO-263
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
栅极电荷：17nC（典型值）
输入电容：1020pF（典型值）
1. 低导通电阻：在额定条件下，Rds(on) 仅为 45mΩ，能够显著减少传导损耗，提升系统效率。
2. 高电流处理能力：支持高达 -20A 的持续漏极电流，满足大功率应用需求。
3. 快速开关性能：具有较低的栅极电荷和输入电容，有助于实现更快的开关速度。
4. 强大的热性能：采用 TO-263 封装，优化了散热路径，确保在高功率条件下稳定运行。
5. 宽工作温度范围：能够在 -55°C 至 +150°C 的温度范围内正常工作，适应各种严苛环境。
1. 电源管理：用于 DC-DC 转换器、开关模式电源 (SMPS) 和其他电源管理模块。
2. 负载开关：作为高效的负载开关，控制不同电路间的电流流动。
3. 电机驱动：应用于小型直流电机驱动电路中，提供精确的电流控制。
4. 电池管理系统：用于保护电池组免受过充、过放或其他异常情况的影响。
5. 工业控制：在工业自动化设备中作为关键的功率开关元件。
FI212P0829G2-T, FI212P0829G4-T
