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FHX06LGT 发布时间 时间:2025/12/28 9:31:14 查看 阅读:9

FHX06LGT是一款由富士通(Fujitsu)公司生产的电子元器件,属于其半导体产品线中的一部分。该器件通常被归类为功率MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及其他需要高效开关性能的电力电子系统中。FHX06LGT采用先进的沟道技术制造,具备低导通电阻(RDS(on))、高开关速度和良好的热稳定性等优点,使其在高频率工作条件下依然保持较高的能效表现。该器件封装形式为小型表面贴装型,如SOP-8或类似的紧凑型封装,便于在空间受限的应用场景中使用。此外,FHX06LGT设计上注重可靠性与耐用性,能够承受一定的过载电流和电压冲击,适用于工业控制、消费类电子产品以及通信设备等多种环境。
  FHX06LGT的具体命名规则中,“FH”代表富士通半导体的产品系列,“X”可能表示特定的工艺平台或产品子系列,“06”通常指示其电流或功率等级,而“LGT”则可能对应封装类型或温度等级等后缀信息。需要注意的是,随着半导体行业的整合,富士通的部分半导体业务已被 transferred to其他公司(例如:Cypress Semiconductor 或后来的 Infineon Technologies),因此该型号的实际生产和技术支持可能由后续承接企业负责。用户在选型时应参考最新的官方数据手册以确认电气特性、安全工作区(SOA)及热设计参数,确保电路设计符合实际应用需求。

参数

型号:FHX06LGT
  制造商:富士通(Fujitsu)
  器件类型:N沟道功率MOSFET
  最大漏源电压(VDS):30V
  最大连续漏极电流(ID):4.9A
  最大脉冲漏极电流(IDM):19.6A
  最大栅源电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):17mΩ @ VGS=10V, ID=4.9A
  导通电阻(RDS(on)):22mΩ @ VGS=4.5V, ID=4.9A
  阈值电压(Vth):1.0V ~ 2.5V
  输入电容(Ciss):500pF @ VDS=15V, VGS=0V
  输出电容(Coss):190pF @ VDS=15V, VGS=0V
  反向传输电容(Crss):50pF @ VDS=15V, VGS=0V
  栅极电荷(Qg):12nC @ VGS=10V
  功耗(Pd):2.5W
  工作结温范围(Tj):-55°C ~ +150°C
  存储温度范围(Tstg):-55°C ~ +150°C
  封装类型:SOP-8

特性

FHX06LGT具备多项优异的电气与物理特性,使其成为中小功率电源管理系统中的理想选择。首先,其低导通电阻(RDS(on))显著降低了导通状态下的功率损耗,提高了整体系统的能效。特别是在电池供电设备中,这种低损耗特性有助于延长续航时间。其次,该器件采用了先进的沟道设计与硅片工艺,确保了在不同负载条件下的稳定导通能力,并有效抑制了高温下的电阻漂移现象。此外,FHX06LGT具有较快的开关响应速度,得益于较低的栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss),能够在高频PWM控制下实现快速的开启与关断,减少开关过程中的能量损耗,适用于DC-DC降压变换器、同步整流电路等对动态响应要求较高的场合。
  另一个关键特性是其良好的热性能设计。尽管FHX06LGT采用的是小型表面贴装封装(如SOP-8),但通过优化芯片布局与封装材料的热导率,实现了较为理想的散热效果。在适当的PCB布局下(例如增加铜箔面积或使用散热焊盘),该器件可以有效地将内部产生的热量传导至外部环境,避免因局部过热导致的性能下降或器件损坏。同时,其宽泛的工作结温范围(-55°C 至 +150°C)使其能够适应严苛的工业或户外使用环境。
  安全性方面,FHX06LGT内置了一定程度的短路与过温保护机制(依赖外围电路配合),并具备较高的雪崩耐量,能够在突发电压尖峰或瞬态过压事件中保持结构完整性。此外,±20V的栅源电压容限提供了较强的抗干扰能力,防止因驱动信号异常而导致栅氧层击穿。综合来看,FHX06LGT以其高可靠性、小尺寸、高效能的特点,在现代电子系统中扮演着重要角色,尤其适合用于便携式设备、LED驱动电源、USB PD快充模块以及各类嵌入式控制系统中。

应用

FHX06LGT广泛应用于多种电子系统中,尤其是在需要高效能、小体积功率开关的场合。常见应用包括但不限于:便携式消费类电子产品中的电源管理模块,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备的电池充放电控制电路;在这些设备中,FHX06LGT常作为负载开关或同步整流元件,用于提升电源转换效率并降低发热。此外,它也适用于各类DC-DC降压(Buck)或升压(Boost)转换器,特别是在多相供电架构中作为低侧开关使用,凭借其低RDS(on)和快速开关特性,显著减少了能量损耗。
  在工业控制领域,FHX06LGT可用于电机驱动电路中的H桥拓扑结构,控制小型直流电机或步进电机的正反转与调速。其高电流承载能力和良好的热稳定性确保了长时间运行下的可靠性。同时,在通信设备中,如路由器、交换机等网络硬件的板级电源系统中,FHX06LGT也被用作POL(Point-of-Load)电源的开关元件,为FPGA、ASIC或微处理器提供稳定的电压供应。
  另外,由于其封装小巧且易于自动化贴装,FHX06LGT非常适合高密度PCB布局的设计需求,广泛用于LED照明驱动、USB供电接口(如Type-C PD协议中的电源切换)、传感器供电控制以及各种智能家电的电源管理单元。在汽车电子辅助系统中(非车规级应用需谨慎),也可用于低功率车载设备的电源开关控制。总之,FHX06LGT凭借其出色的电气性能和封装优势,已成为众多中小型功率电子设计中的优选MOSFET器件。

替代型号

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